[发明专利]一种阵列基板、显示面板及显示设备

说明书

本申请公开了一种阵列基板、显示面板及显示设备，用以简化阵列基板结构，简化阵列基板制备流程，节省生产成本。本申请提供的一种阵列基板，包括衬底基板，衬底基板上设置有发光晶体管和开关晶体管，开关晶体管包括位于衬底基板之上的半导体层、第一金属层、第二金属层和层间绝缘层；半导体层包括开关晶体管的有源层、第一部分和第二部分，第一部分作为开关晶体管的源极或漏极，第二部作为发光晶体管的栅极；第一金属层与有源层交叠；层间绝缘层中包括过孔，第二金属层通过过孔与第一部分相连；发光晶体管包括栅极以及位于所述栅极之上的第一栅极绝缘层，层间绝缘层在垂直于衬底基板的方向上覆盖第二部分，层间绝缘层复用为第一栅极绝缘层。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示设备。

背景技术

现有技术中，顶栅氧化物薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)驱动的碳纳米管激发的有机发光晶体管(Carbon-Nanotube Enabled Vertical Organic Ligh EmittingTrasistor，CN-VOLET)的阵列(array)基板中，顶栅氧化物TFT与CN-VOLET通常是单独设置的，阵列基板结构复杂。阵列基板制程中，每一次图形化或刻蚀过孔都需要使用一张光罩(mask)，如图1所示，顶栅氧化物TFT驱动CN-VOLET的阵列基板制程包括如下步骤，其中，mask n代表阵列基板制程中使用的第n张mask，n为正整数：S101、在基板上设置顶栅氧化物TFT的氧化物半导体层，之后对氧化物半导体层图形化(mask1)，之后进行退火(200-300℃)处理；S102、设置顶栅氧化物TFT的栅极绝缘层和栅极金属层，之后对栅极绝缘层和栅极金属层图形化(mask2)；S103、对氧化物半导体层进行导电化处理：对氧化物半导体欧姆接触区域进行导电化处理(He/Ar等离子处理氧化物半导体层)；S104、设置层间绝缘层(ILD)，之后在ILD层刻蚀过孔(mask3)；S105、设置金属层，之后对金属层图形化(mask4)，形成源极和漏极；S106、设置CN-VOLET的透明栅极层(通常为铟锡氧化物ITO)，对透明栅极层图形化(mask5)；S107、设置钝化层，之后在钝化层上刻蚀过孔(mask6)；S108、表面层制作(mask7)；S109、碳纳米管(CNT)涂覆，之后对CNT层图形化(mask8)；S1010、挡墙(Bank)层涂覆，之后对Bank层图形化(mask9)。上述过程需要使用9张mask。

发明内容

本申请实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示设备，用以简化阵列基板的结构，从而简化阵列基板的制备流程，节省生产成本。

本申请实施例提供的一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有发光晶体管和用于控制该发光晶体管发光的开关晶体管，

所述开关晶体管包括位于所述衬底基板之上的半导体层、第一金属层、第二金属层和层间绝缘层；所述层间绝缘层位于所述第一金属层和所述第二金属层之间；其中，

所述半导体层包括所述开关晶体管的有源层、第一部分和第二部分，所述第一部分作为所述开关晶体管的源极或漏极，所述第二部作为所述发光晶体管的栅极；

在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一金属层与所述有源层交叠；

所述层间绝缘层中包括过孔，所述第二金属层通过所述过孔与所述第一部分相连；

所述发光晶体管包括栅极以及位于所述栅极之上的第一栅极绝缘层，所述层间绝缘层在垂直于所述衬底基板的方向上覆盖所述第二部分，所述层间绝缘层复用为所述第一栅极绝缘层。

本申请实施例提供的一种显示面板，包括本申请实施例提供的阵列基板。

本申请实施例提供的一种显示设备，包括本申请实施例提供的显示面板。