[发明专利]一种制备薄膜的方法

权利要求书

1.一种薄膜的光学参数与制备工艺参数对应关系的确定方法，其特征在于，包括：

在多个预定制备工艺参数下分别制备薄膜；

确定所述多个预定制备工艺参数下制备的各薄膜的光学参数，得到所述薄膜的光学参数与制备工艺参数对应关系，以便根据所述对应关系制备满足制备需求的薄膜；确定所述多个预定制备工艺参数下制备的各薄膜的光学参数，具体包括：

确定玻璃基片的第一光学参数；

确定制备有所述薄膜的玻璃基片的第二光学参数；

根据所述第一光学参数和所述第二光学参数，确定所述薄膜的光学参数。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光学参数和所述第二光学参数是通过下述方法确定的：

确定被测介质的相对振幅衰减和相位移动之差，所述被测介质包括所述玻璃基片和/或所述制备有所述薄膜的玻璃基片；

根据所述相对振幅衰减和相位移动之差，确定被测介质的光学参数。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备工艺参数至少包括溅射气压，所述光学参数至少包括折射率和消光系数。

4.一种制备薄膜的方法，其特征在于，包括：

根据待制备薄膜的制备需求、第一对应关系和第二对应关系，确定制备所述薄膜的制备工艺参数和制备时间，其中，所述制备需求包括待制备薄膜的厚度和光学参数，所述第一对应关系为所述薄膜的光学参数与制备工艺参数对应关系，所述第二对应关系为所述薄膜的制备时间与厚度的对应关系；

根据确定的制备工艺参数和制备时间，制备所述薄膜。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述制备工艺参数至少包括溅射气压，所述光学参数至少包括折射率和消光系数。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，当所述薄膜是钼背电极层时，所述钼背电极层包括疏松层、致密层和钝化层，根据待制备薄膜的制备需求、第一对应关系和第二对应关系，确定制备所述薄膜的制备工艺参数和制备时间，具体包括：

根据待制备钼背电极层的制备需求、第一对应关系和第二对应关系，确定所述疏松层的第一制备工艺参数和第一制备时间、所述致密层的第二制备工艺参数和第二制备时间、以及所述钝化层的第三制备工艺参数和第三制备时间，其中，所述制备需求包括待制备钼背电极层的厚度和光学参数，所述第一对应关系为钼膜的光学参数与制备工艺参数的对应关系，所述第二对应关系为钼膜的制备时间与厚度的对应关系。

7.如权利要求6所述的方法，当所述薄膜是钼背电极层时，根据确定的制备工艺参数和制备时间，制备所述薄膜，具体包括：

根据所述第一制备工艺参数和所述第一制备时间、所述第二制备工艺参数和所述第二制备时间、以及所述第三制备工艺参数和所述第三制备时间，分别制备所述疏松层、所述致密层和所述钝化层。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，根据所述第一制备工艺参数和所述第一制备时间、所述第二制备工艺参数和所述第二制备时间、以及所述第三制备工艺参数和所述第三制备时间，分别制备所述疏松层、所述致密层和所述钝化层，具体包括：

根据所述第一制备工艺参数和所述第一制备时间，在玻璃基片上制备第一薄膜作为所述疏松层；

根据所述第二制备工艺参数和所述第二制备时间，在所述疏松层上制备第二薄膜作为所述致密层；

根据所述第三制备工艺参数和所述第三制备时间，在所述致密层上制备第三薄膜作为所述钝化层。

9.如权利要求4-8中任一权项所述的方法，其特征在于，所述第一对应关系，是通过权利要求1-3中任一所述的薄膜的光学参数与制备工艺参数对应关系的确定方法确定的。