[发明专利]具有字元抹除与减少写入干扰的非易失性存储器装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

多个存储单元区块，配置为存储单元阵列，其中所述存储单元区块各别包括：

多个存储单元，各别包括第一存储单元以及第二存储单元，其中所述第一存储单元与所述第二存储单元彼此串联；

第一字元线，耦接每一所述多个存储单元的所述第一存储单元，并且提供第一字元信号；以及

第二字元线，耦接每一所述多个存储单元的所述第二存储单元，并且提供第二字元信号，

其中所述存储单元阵列中的每一行设置选择信号线，并且所述选择信号线通过多个N型晶体管耦接每一行当中的所述多个存储单元区块，其中所述多个存储单元区块依据每一行的所述选择信号线提供至所述多个N型晶体管中的第二N型晶体管的控制端的选择信号来各别决定是否提供源极信号至所述第一存储单元与所述第二存储单元之间的共用源极以执行读取操作、写入操作或抹除操作。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述多个存储单元区块各别还包括：

区域抹除栅极线，用以提供抹除电压，并且通过第一N型晶体管耦接每一所述多个存储单元的所述第一存储单元以及所述第二存储单元各别的抹除栅极，

其中所述第一N型晶体管通过控制端接收所述选择信号，以决定是否提供所述抹除电压至每一所述多个存储单元的所述第一存储单元以及所述第二存储单元各别的所述抹除栅极。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置，其中所述多个存储单元区块各别还包括：

区域控制源极线，用以提供所述源极信号，并且通过所述第二N型晶体管耦接每一所述多个存储单元的所述共用源极，

其中所述第二N型晶体管通过控制端接收所述选择信号，以决定是否将所述源极信号提供至每一所述多个存储单元的所述共用源极。

4.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中所述多个存储单元区块各别还包括：

区域控制栅极线，用以提供栅极信号，并且通过第三N型晶体管耦接每一所述多个存储单元的控制栅极，

其中所述第三N型晶体管通过控制端接收所述选择信号，以决定是否将所述栅极信号提供至每一所述多个存储单元的所述控制栅极。

5.根据权利要求3所述的非易失性存储器装置，其中所述多个存储单元区块各别的所述区域控制源极线还耦接每一所述多个存储单元的控制栅极，以将提供的所述源极信号作为栅极信号，并且所述第二N型晶体管通过控制端接收所述选择信号，以决定是否将所述栅极信号提供至每一所述多个存储单元的所述控制栅极。

6.根据权利要求2所述的非易失性存储器装置，还包括：

全域控制源极线，用以提供所述源极信号，并且耦接每一所述多个存储单元区块的所述多个存储单元的所述共用源极。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中所述多个存储单元区块各别还包括：

区域控制栅极线，用以提供栅极信号，并且通过第三N型晶体管耦接每一所述多个存储单元的控制栅极，

其中所述第三N型晶体管通过控制端接收所述选择信号，以决定是否将所述栅极信号提供至每一所述多个存储单元的所述控制栅极。

8.根据权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述多个存储单元区块各别的所述第一字元线以及所述第二字元线分别通过第四N型晶体管以及第五N型晶体管耦接每一所述多个存储单元区块的所述第一存储单元以及所述第二存储单元，并且所述第一字元线以及所述第二字元线分别用以提供抹除电压，

其中所述第四N型晶体管以及所述第五N型晶体管分别通过控制端接收所述选择信号，以决定是否将所述抹除电压提供至每一所述多个存储单元的所述第一存储单元以及所述第二存储单元。