[发明专利]一种主动开关阵列基板及其制造方法、显示面板在审
申请号: | 201710270695.9 | 申请日: | 2017-04-24 |
公开(公告)号: | CN107086220A | 公开(公告)日: | 2017-08-22 |
发明(设计)人: | 陈猷仁 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)44312 | 代理人: | 王利彬 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 主动 开关 阵列 及其 制造 方法 显示 面板 | ||
1.一种主动开关阵列基板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括以下步骤:
在一基板上形成主动开关的栅极、绝缘层、主动层以及欧姆接触层;
于所述欧姆接触层以及所述绝缘层上形成所述主动开关的源极与漏极;
于所述源极、漏极以及所述绝缘层上沉积一保护层;
于所述保护层上沉积一彩色滤光层并进行曝光及显影;
于所述彩色滤光层及保护层上沉积一层可被可见光穿透过的光刻胶层;
于所述光刻胶层上直接沉积一透明导电层,并蚀刻所述透明导电层,以形成像素电极层。
2.如权利要求1所述的主动开关阵列基板的制造方法,其特征在于,所述在一形成主动开关的栅极的具体步骤包括:
基板清洗,去除异物;
成膜工艺,在干净的基板表面,通过溅射沉积形成金属薄膜;
上光阻,在已形成的金属薄膜上面均匀涂覆一层光刻胶;
曝光,紫外线透过掩模板照射光刻胶,进行曝光;
显影,光刻胶曝光部分被显影液溶解,留下部分图案呈现所需形状;
蚀刻,把基板放入对应腐蚀液或腐蚀气体中,腐蚀掉无光刻胶覆盖的薄膜;
去光阻,去除残余的光刻胶,留下所需形状的金属薄膜,以形成扫描线、包含主动开关的栅极以及共通电极。
3.如权利要求1所述的主动开关阵列基板的制造方法,其特征在于,所述于所述欧姆接触层以及所述绝缘层上形成所述主动开关的源极与漏极的步骤具体包括:
成膜工艺,在所述欧姆接触层以及所述绝缘层上,通过溅射沉积形成金属薄膜;
上光阻,在已形成的金属薄膜上面均匀涂覆一层光刻胶;
曝光,紫外线透过掩模板照射光刻胶,进行曝光;
显影,光刻胶曝光部分被显影液溶解,留下部分图案呈现所需形状;
蚀刻,把基板放入对应腐蚀液或腐蚀气体中,腐蚀掉无光刻胶覆盖的薄膜;
去光阻,去除残余的光刻胶,留下所需形状的金属薄膜,以形成数据线、并于欧姆接触层上定义出主动开关的源极及漏极。
4.如权利要求1所述的主动开关阵列基板的制造方法,其特征在于,所述于所述保护层上沉积一彩色滤光层并进行曝光及显影的步骤具体包括:
在所述绝缘层上涂覆一层感光的第一有机感光层,掩模曝光、显影,形成与像素对应的第一滤光层;
在所述绝缘层上涂覆一层感光的第二有机感光层,掩模曝光、显影,形成与像素对应的第二滤光层;
在所述绝缘层上涂覆一层感光的第三有机感光层,掩模曝光、显影,形成与像素对应的第三滤光层。
5.如权利要求1所述的主动开关阵列基板的制造方法,其特征在于,沉积的所述光刻胶具有流平性。
6.一种主动开关阵列基板,其特征在于,包含:
基板;
主动开关的栅极,位于所述基板上;
绝缘层,位于所述基板及所述栅极上;
主动层,位于所述绝缘层上,用来作为所述主动开关的通道;
欧姆接触层,位于所述主动层上;
主动开关的源极与漏极,位于所述欧姆接触层及所述绝缘层上;
保护层,位于所述源极、漏极及绝缘层上;
彩色滤光层,位于所述保护层上,包含多个滤光单元;
光刻胶层,位于所述彩色滤光层及保护层上;其中,所述光刻胶层使用可被可见光穿透过的光刻胶沉积而成;
像素电极层,直接沉积于所述光刻胶层上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司,未经惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710270695.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的