[发明专利]一种多腔室外延炉系统及其气压调节方法在审
申请号: | 201710272639.9 | 申请日: | 2017-04-24 |
公开(公告)号: | CN108728822A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 刘源;保罗·邦凡蒂 | 申请(专利权)人: | 上海新昇半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C30B25/16;C30B25/14 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 余昌昊 |
地址: | 201306 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 主气道 气压 反应室 外延炉 湿式洗涤机 气压调节 多腔室 涡轮 排风 反应室气压 气体缓冲罐 气体补偿 生产效率 实时调节 实时监测 输出功率 系统气压 真空缓冲 真空气体 缓冲罐 停机 压降 平衡 | ||
1.一种多腔室外延炉系统,其特征在于,包括:
若干个反应室,每个所述反应室设有排气道和第一气压传感器;
主气道,所述主气道设有第二气压传感器,所述主气道通过所述排气道与各个所述反应室相连通;
H2气体缓冲罐,所述H2气体缓冲罐设有第一输入气道和第一控制开关,所述H2气体缓冲罐通过所述第一输入气道与所述主气道相连通,所述第一控制开关控制所述第一输入气道的打开或者关闭;
真空气体缓冲罐,所述真空气体缓冲罐设有第二输入气道和第二控制开关,所述真空气体缓冲罐通过所述第二输入气道与所述主气道相连通,所述第二控制开关控制所述第二输入气道的打开或者关闭;
湿式洗涤机,所述湿式洗涤机设有排风涡轮和控制器,所述控制器与所述排风涡轮相连接;
输出气道,所述主气道与所述湿式洗涤机通过所述输出气道相连通;
FDC系统,所述第一传感器、所述第二传感器、所述第一控制开关、所述第二控制开关和所述控制器均与所述FDC系统连接。
2.如权利要求1所述的一种多腔室外延炉系统,其特征在于,所述反应室数量大于或者等于两个。
3.如权利要求1所述的一种多腔室外延炉系统,其特征在于,所述H2气体缓冲罐中的H2气体压强大于或者等于一个标准大气压。
4.如权利要求1所述的一种多腔室外延炉系统,其特征在于,还包括抽气涡轮和废气处理室,所述抽气涡轮一端与所述真空气体缓冲罐相连通,另一端与所述废气处理室相连通。
5.如权利要求1所述的一种多腔室外延炉系统,其特征在于,所述第一控制开关和所述第二控制开关为常闭开关。
6.如权利要求1所述的一种多腔室外延炉系统,其特征在于,所述主气道的直径大于所述排气道、第一输入气道、所述第二输入气道和所述输出气道的直径。
7.如权利要求1所述的一种多腔室外延炉系统,其特征在于,所述主气道内的气压值为-3torr。
8.如权利要求1所述的,其特征在于一种多腔室外延炉系统,所述湿式洗涤机的排风涡轮为变频涡轮。
9.一种利用如权利要求1-8任一项所述的多腔室外延炉系统进行气压调节的方法,其特征在于,包括:
S1:所述第一气压传感器实时检测各个所述反应室内的气压,将信号反馈给所述FDC系统;
S2:所述第二气压传感器实时检测所述主气道内的气压,并将信号反馈给所述FDC系统;
S3:当所述主气道内的气压值不等于-3torr且在±0.5torr范围内波动时,所述FDC系统控制所述控制器调节湿式洗涤机排风涡轮的输出功率,使所述主气道内的气压值等于-3torr;
S4:当所述主气道内的气压值小于-3.5torr时,所述FDC系统控制所述第一控制开关打开,所述H2气体缓冲罐中的H2充入所述主气道,进而增大所述主气道内的气压,使所述主气道内的气压值大于-3.5torr,然后所述FDC系统控制所述第一控制开关关闭,启动步骤S3;
S5:当所述主气道内的气压值大于-2.5torr时,所述FDC系统控制所述第二控制开关打开,所述主气道内的气体充入所述真空气体缓冲罐,进而减少所述主气道内的气压,使所述主气道内的气压值小于-2.5torr,然后所述FDC系统控制所述第二控制开关关闭,启动步骤S3。
10.根据权利要求9所述的气压调节方法,其特征在于,还包括S6:当所述主气道内的气压值波动,且无法经过步骤S3、S4和S5使所述主气道内的气压值等于-3torr时,根据所述S1中反馈的各个所述反应室内的气压值,停机关掉气压值波动超过-3±0.5torr的对应的反应室,然后启动S3。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司,未经上海新昇半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710272639.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:MOCVD处理装置以及用于MOCVD的气体供应装置
- 下一篇:外延生长装置
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的