[发明专利]带隙基准和上电复位的复合功能电路及电子系统

权利要求书

1.一种带隙基准和上电复位的复合功能电路，其特征在于，包括：

带隙基准电路，由电源电压供电并产生带隙基准电压，所述带隙基准电路包括差分运算放大器；

比较器，所述比较器具有失调电压，所述比较器适于对所述差分运算放大器的第一输入端和第二输入端的电压进行比较，以产生上电复位信号；

失调电压调节单元，耦接所述比较器，适于根据所述上电复位信号调节所述比较器的失调电压，所述上电复位信号的逻辑电平指示所述带隙基准电路处于上电或者掉电的状态；

当所述带隙基准电路上电时，所述上电复位信号为第一逻辑电平，所述失调电压调节单元调节所述比较器的失调电压等于第一失调电压；当所述带隙基准电路掉电时，所述上电复位信号为不同于所述第一逻辑电平的第二逻辑电平，所述失调电压调节单元调节所述比较器的失调电压等于第二失调电压，所述第二失调电压大于所述第一失调电压。

2.根据权利要求1所述的复合功能电路，其特征在于，所述比较器包括：

第一放大MOS管，其控制端耦接所述比较器的第一输入端和所述差分运算放大器的第一输入端；

第二放大MOS管，其控制端耦接所述比较器的第二输入端和所述差分运算放大器的第二输入端。

3.根据权利要求2所述的复合功能电路，其特征在于，所述失调电压调节单元包括：

第三放大MOS管，所述第三放大MOS管的控制端耦接所述第二放大MOS管的控制端，所述第三放大MOS管的输出端耦接所述第二放大MOS管的输出端；

数据选择器，其控制端接入数据选择信号，所述数据选择信号根据所述上电复位信号产生，其输出端耦接所述第三放大MOS管的输入端，其第一输入端耦接所述第三放大MOS管的输出端，其第二输入端耦接所述第二放大MOS管的输入端，当所述上电复位信号为所述第一逻辑电平时，所述数据选择信号控制所述数据选择器的第一输入端与其输出端相连接，当所述上电复位信号为所述第二逻辑电平时，所述数据选择信号控制所述数据选择器的第二输入端与其输出端相连接。

4.根据权利要求3所述的复合功能电路，其特征在于，还包括：

反相器，其输入端接入所述上电复位信号，其输出端输出所述数据选择信号。

5.根据权利要求2所述的复合功能电路，其特征在于，所述第一放大MOS管的宽长比小于所述第二放大MOS管的宽长比。

6.根据权利要求2至5任一项所述的复合功能电路，其特征在于，所述比较器还包括：

偏置单元，耦接所述第一放大MOS管的输入端和所述第二放大MOS管的输入端，适于为所述第一放大MOS管和第二放大MOS管提供偏置电流；

第一电流镜，其输入端耦接所述第一放大MOS管的输出端，其公共源极接地；

第二电流镜，其输入端耦接所述第二放大MOS管的输出端，其公共源极接地；

第一反馈MOS管，其输入端接入电源参考端，其输出端耦接所述第一电流镜的输出端；

第二反馈MOS管，其输入端接入所述电源参考端，其输出端耦接所述第二电流镜的输出端以及所述比较器的输出端，其控制端耦接所述第一反馈MOS管的控制端。

7.根据权利要求6所述的复合功能电路，其特征在于，所述偏置单元包括：

第一偏置MOS管，其输入端接入所述电源参考端，其输出端耦接所述第一放大MOS管和第二放大MOS管，其控制端接入偏置电压。

8.根据权利要求7所述的复合功能电路，其特征在于，所述差分运算放大器包括：第四放大MOS管、第五放大MOS管和第二偏置MOS管，其中，所述第二偏置MOS管的输出端耦接所述第四放大MOS管和所述第五放大MOS管，所述第二偏置MOS管的控制端接入所述偏置电压。