[发明专利]带隙基准和上电复位的复合功能电路及电子系统

说明书

一种带隙基准和上电复位的复合功能电路及电子系统，所述复合功能电路包括：带隙基准电路，由电源电压供电并产生带隙基准电压，所述带隙基准电路包括差分运算放大器；比较器，所述比较器具有失调电压，所述比较器适于对所述差分运算放大器的第一输入端和第二输入端的电压进行比较，以产生上电复位信号。采用本发明方案可以降低电路设计的复杂性，并有效地提高集成电路的集成度。

技术领域

本发明涉及电子电路设计领域，特别涉及一种带隙基准和上电复位的复合功能电路及电子系统。

背景技术

随着集成电路(Integrated Circuit，简称IC)技术的持续发展，IC设计已经进入深亚微米的时代，互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称CMOS)的批量生产已经采用90nm甚至65nm工艺，IC的发展依旧以高频，高速，高集成度，多功能，低功耗为目标。多年以来，技术的发展都在遵循摩尔定理，IC芯片的集成度每三年提高4倍，但从发展角度看，在新技术推动下，即便整个业界开始向10nm发展，IC受工艺加工极限和经济承受力的制约暂时还没有定论，IC技术仍然按照摩尔定理发展。目前为止，基于市场竞争，不断提高产品性价比是IC技术发展动力，而如何缩小特征尺寸设计，提高产品性能，有效提高IC的集成度成为至关重要的问题。

上电复位(Power-on Reset，简称POR)电路可以产生上电复位信号，使得电路工作在已知的状态，因此被广泛应用于数字系统中。带隙基准(Bandgap)电路用于提供随电源电压、温度变化较小的带隙基准电压，一般为1.25V，因此被广泛应用于模拟和数字系统中。目前在IC设计中，这两个较为常用的电路模块是互相独立而分开设置的。

如果可以设计一种复合功能电路，同时实现带隙基准产生和上电复位两种功能，也即在IC上电时，即可产生带隙基准电压又可以产生上电复位信号，这将有益于对于集成电路集成度的提高。

发明内容

本发明解决的一个技术问题是如何设计一种可同时实现带隙基准产生和上电复位的复合功能电路。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种带隙基准和上电复位的复合功能电路，所述复合功能电路包括：带隙基准电路，由电源电压供电并产生带隙基准电压，所述带隙基准电路包括差分运算放大器；比较器，所述比较器具有失调电压，所述比较器适于对所述差分运算放大器的第一输入端和第二输入端的电压进行比较，以产生上电复位信号。

可选地，所述复合功能电路还包括：失调电压调节单元，耦接所述比较器，适于根据所述上电复位信号调节所述比较器的失调电压，所述上电复位信号的逻辑电平指示所述带隙基准电路处于上电或者掉电的状态。

可选地，当所述带隙基准电路上电时，所述上电复位信号为第一逻辑电平，所述失调电压调节单元调节所述比较器的失调电压等于第一失调电压；当所述带隙基准电路掉电时，所述上电复位信号为不同于所述第一逻辑电平的第二逻辑电平，所述失调电压调节单元调节所述比较器的失调电压等于第二失调电压，所述第二失调电压大于所述第一失调电压。

可选地，所述比较器包括：第一放大MOS管，其控制端耦接所述比较器的第一输入端和所述差分运算放大器的第一输入端；第二放大MOS管，其控制端耦接所述比较器的第二输入端和所述差分运算放大器的第二输入端。