[发明专利]用于制备显示装置的方法以及显示装置有效

专利信息
申请号: 201710273776.4 申请日: 2017-04-24
公开(公告)号: CN107425032B 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 程磊磊;鲍俊;王东方;赵策 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L27/12;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京市中咨律师事务所 11247 代理人: 牛南辉;李峥
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 制备 显示装置 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种用于制备显示装置的方法,其特征在于,所述方法包括:

提供TFT基板;

将石墨烯和金属纳米线分散在亲水性的溶剂中以形成亲水性的导电墨;

将所述导电墨施加到所述TFT基板上以形成复合电极层;

在所述复合电极层上形成具有至少部分暴露所述复合电极层的多个开口的像素限定层;

在所述像素限定层的所述多个开口中施加用于形成有机发光结构的亲水性的有机墨以形成有机层;

干燥所述复合电极层和所述有机层以形成第一电极和所述有机发光结构;以及

在所述有机发光结构和所述像素限定层上形成第二电极,其中

将所述石墨烯和所述金属纳米线分散在所述亲水性的溶剂中以形成所述导电墨包括:

将所述石墨烯和所述金属纳米线形成为复合材料;以及

将所述复合材料分散在所述亲水性的溶剂中。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述石墨烯和所述金属纳米线形成为所述复合材料包括:

在基底上形成石墨烯膜;

通过滤膜过滤包含金属纳米线的分散液以在所述滤膜上形成金属纳米线膜;

将所述金属纳米线膜从所述滤膜转移到所述石墨烯膜上以形成所述复合材料;以及

去除所述基底。

3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在去除所述基底之前,所述方法还包括:以30分钟的时长对所述复合材料施加0.6Mpa的压力。

4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述复合材料中,所述金属纳米线的面密度为:0.63x 104~9.3x 104根金属纳米线/mm2石墨烯。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其特征在于,所述亲水性的溶剂包括去离子水或乙醇。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其特征在于,所述像素限定层的上部具有疏水性,并且下部具有亲水性。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其特征在于,通过喷墨印刷方法施加所述导电墨和所述有机墨。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其特征在于,还包括:

在所述第二电极上形成封装层。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其特征在于,所述金属纳米线包括银纳米线、铜纳米线、金纳米线、铝纳米线、铂纳米线和钯纳米线中的一种或多种。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,提供所述TFT基板包括:

在基板上形成栅极电极;

在所述栅极电极上形成栅极绝缘层;

在所述栅极绝缘层上形成有源层;以及

在所述有源层上形成源极电极和漏极电极。

11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,提供所述TFT基板包括:

在基板上形成源极电极和漏极电极;

在所述源极电极和所述漏极电极上形成有源层;

在所述有源层上形成栅极绝缘层;以及

在所述栅极绝缘层上形成栅极电极。

12.根据权利要求10或11所述的方法,其特征在于,所述有源层包括有机半导体有机材料或金属氧化物半导体材料。

13.根据权利要求10或11所述的方法,其特征在于,所述基板包括柔性基板。

14.根据权利要求10或11所述的方法,其特征在于,所述第二电极、所述TFT基板上的薄膜晶体管的源极电极、漏极电极和栅极电极中的一个或多个通过所述导电墨形成。

15.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置通过根据权利要求1至14中任一项所述的方法形成。

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