[发明专利]用于制备显示装置的方法以及显示装置有效
申请号: | 201710273776.4 | 申请日: | 2017-04-24 |
公开(公告)号: | CN107425032B | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 程磊磊;鲍俊;王东方;赵策 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 牛南辉;李峥 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制备 显示装置 方法 以及 | ||
本发明实施例涉及一种用于制备显示装置的方法和显示装置。用于制备显示装置的方法包括提供TFT基板;将石墨烯和金属纳米线分散在亲水性的溶剂中以形成亲水性的导电墨;将所述导电墨施加到所述TFT基板上以形成复合电极层;在所述复合电极层上形成具有至少部分暴露所述复合电极层的多个开口的像素限定层;在所述像素限定层的所述多个开口中施加用于形成有机发光结构的亲水性的有机墨以形成有机层;干燥所述复合电极层和所述有机层以形成第一电极和所述有机发光结构;以及在所述有机发光结构和所述像素限定层上形成第二电极。本发明实施例提供的方法有利于提高第一电极和有机发光结构之间的粘附强度及像素的均匀性。
技术领域
本发明的实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种用于制备显示装置的方法以及一种显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示装置具有自发光、结构简单、超轻薄、相应速度快、宽视角、低功耗等特性。因此已经成为新一代显示装置的重要发展方向之一,并且受到越来越多的关注。
OLED显示装置通过电流驱动发光材料发光,通常包括阳极层、有机层(或功能层)和阴极层。有机层包括空穴传输层、发光层和电子传输层。当在阳极和阴极之间施加电压时,电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子和空穴传输层,并分别经过电子和空穴传输层迁移到发光层。空穴和电子在发光层中复合,从而实现OLED的自发光的特性。
发明内容
本发明实施例提供一种用于制备显示装置的方法以及显示装置,其有利于提高第一电极和有机发光结构之间的粘附强度以及像素的均匀性,从而改善显示装置的性能。
在本发明的一个方面,提供一种用于制备显示装置的方法。该方法包括:提供TFT基板;将石墨烯和金属纳米线分散在亲水性的溶剂中以形成亲水性的导电墨;将所述导电墨施加到所述TFT基板上以形成复合电极层;在所述复合电极层上形成具有至少部分暴露所述复合电极层的多个开口的像素限定层;在所述像素限定层的所述多个开口中施加用于形成有机发光结构的亲水性的有机墨以形成有机层;干燥所述复合电极层和所述有机层以形成第一电极和所述有机发光结构;以及在所述有机发光结构和所述像素限定层上形成第二电极。
在本发明的实施例中,将所述石墨烯和所述金属纳米线分散在所述亲水性的溶剂中以形成所述导电墨包括:将所述石墨烯和所述金属纳米线形成为复合材料;以及将所述复合材料分散在所述亲水性的溶剂中。
在本发明的实施例中,将所述石墨烯和所述金属纳米线形成为所述复合材料包括:在基底上形成石墨烯膜;通过滤膜过滤包含金属纳米线的分散液以在所述滤膜上形成金属纳米线膜;将所述金属纳米线膜从所述滤膜转移到所述石墨烯膜上以形成所述复合材料;以及去除所述基底。
在本发明的实施例中,在去除所述基底之前,所述方法还包括:以30分钟的时长对所述复合材料施加0.6Mpa的压力。
在本发明的实施例中,在所述复合材料中,所述金属纳米线的面密度为:0.63x104~9.3x 104根金属纳米线/mm2石墨烯。
在本发明的实施例中,所述亲水性的溶剂包括去离子水或乙醇。
在本发明的实施例中,所述像素限定层的上部具有疏水性,并且下部具有亲水性。
在本发明的实施例中,通过喷墨印刷方法施加所述导电墨和所述有机墨。
在本发明的实施例中,所述方法还包括:在所述第二电极上形成封装层。
在本发明的可选实施例中,所述金属纳米线包括银纳米线、铜纳米线、金纳米线、铝纳米线、铂纳米线和钯纳米线中的一种或多种。
在本发明的实施例中,提供所述TFT基板包括:在基板上形成栅极电极;在所述栅极电极上形成栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上形成有源层;以及在所述有源层上形成源极电极和漏极电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的