[发明专利]一种具有快速负载瞬态响应的线性稳压电路

权利要求书

1.一种具有快速负载瞬态响应的线性稳压电路，包括钳位运放电路和缓冲输出级电路，所述钳位运放电路的输入端输入基准电压(Vref)，其特征在于，

所述缓冲输出级电路包括第二电容(C3)、第三电阻(R3)、第六电阻(R6)、第三PMOS管(MP3)、第一PNP三极管(PNP1)、第三NPN三极管(NPN3)、输出电容(C_OUT)和自适应调整电路，

第一PNP三极管(PNP1)的基极通过第三电阻(R3)后接所述钳位运放电路的输出端，其发射极接第三PMOS管(MP3)的漏极和第三NPN三极管(NPN3)的基极，其集电极接地；第三PMOS管(MP3)的栅极接第一偏置电压(Vb1)，其源极接电源电压；第二电容(C3)连接在第三NPN三极管(NPN3)的基极和地之间，第三NPN三极管(NPN3)的发射极通过第六电阻(R6)和输出电容(C_OUT)的并联结构后接地，其集电极接电源电压；

所述自适应调整电路包括第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一电容(C2)、第四NMOS管(MN4)、第四PMOS管(MP4)、第一NPN三极管(NPN1)、第二NPN三极管(NPN2)和第二PNP三极管(PNP2)，

第四电阻(R4)和第五电阻(R5)串联，其串联点接第四NMOS管(MN4)的漏极，第四NMOS管(MN4)的栅极接第二偏置电压(Vb2)，其源极接地；第五电阻(R5)的另一端接所述钳位运放电路的输出端，第四电阻(R4)的另一端接第二PNP三极管(PNP2)的基极，第二PNP三极管(PNP2)的发射极接第一NPN三极管(NPN1)的发射极，其集电极接地；

第一NPN三极管(NPN1)的基极和集电极互连并连接第四PMOS管(MP4)的漏极和第二NPN三极管(NPN2)的基极；第四PMOS管(MP4)的栅极接第一偏置电压(Vb1)，其源极接电源电压；第二NPN三极管(NPN2)的集电极接电源电压，其发射极连接第三NPN三极管(NPN3)的基极；第一电容(C2)连接在第二NPN三极管(NPN2)的基极和地之间。

2.根据权利要求1所述的具有快速负载瞬态响应的线性稳压电路，其特征在于，所述钳位运放电路包括第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第三NMOS管(MN3)、源随NMOS管(MN)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、补偿电容(C1)、第一电阻(R1)和第二电阻(R2)，

第一NMOS管(MN1)和第二NMOS管(MN2)的源极互连并连接第三NMOS管(MN3)的漏极，第一NMOS管(MN1)的栅极作为所述钳位运放电路的输入端，第三NMOS管(MN3)的栅极连接第二偏置电压(Vb2)；

第一PMOS管(MP1)的栅漏短接并连接第一NMOS管(MN1)的漏极和第二PMOS管(MP2)的栅极，源随NMOS管(MN)的栅极接第二NMOS管(MN2)和第二PMOS管(MP2)的漏极并通过补偿电容(C1)后接地；

第一电阻(R1)和第二电阻(R2)串联，其串联点连接第二NMOS管(MN2)的栅极，第一电阻(R1)的另一端接源随NMOS管(MN)的源极并作为所述钳位运放电路的输出端，第二电阻(R2)的另一端和第三NMOS管(MN3)的源极接地，第一PMOS管(MP1)和第二PMOS管(MP2)的源极以及源随NMOS管(MN)的漏极接电源电压。

3.根据权利要求1所述的具有快速负载瞬态响应的线性稳压电路，其特征在于，所述输出电容(C_OUT)为100pF。