[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

半导体发光二极管(LED)芯片，具有第一表面、在所述第一表面上的电极、与所述第一表面相反的第二表面、以及在所述第一表面和所述第二表面之间的侧表面；

光透射膜，在所述半导体LED芯片的所述第二表面上；

光透射接合层，在所述光透射膜和所述半导体LED芯片之间，所述光透射接合层配置为接合所述光透射膜至所述半导体LED芯片，所述光透射接合层包括覆盖所述半导体LED芯片的整个所述第二表面的接合区域以及从所述接合区域延伸并至少部分地覆盖所述半导体LED芯片的所述侧表面以形成倾斜面的延伸区域；以及

反射封装部分，围绕所述光透射接合层，所述反射封装部分覆盖所述半导体LED芯片的所述第一表面使得所述电极至少部分地从所述反射封装部分暴露，所述反射封装部分包括反射材料，

其中至少所述光透射接合层的所述接合区域和所述延伸区域包括波长转换材料，所述波长转换材料配置为将由所述半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述延伸区域的所述倾斜面包括凹部分或凸部分。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述反射封装部分包括与所述光透射膜的侧表面共面的侧表面。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中

所述光透射膜包括配置为将由所述半导体LED芯片发射的光转换成具有第一波长的光的第一波长转换材料；

所述光透射接合层包括配置为将由所述半导体LED芯片发射的光转换成具有第二波长的光的第二波长转换材料；以及

所述第二波长比所述第一波长长。

5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中，

所述第一波长转换材料包括黄色磷光体和绿色磷光体的至少之一，以及

所述第二波长转换材料包括红色磷光体。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述光透射接合层包括光分散材料。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述光透射接合层包括触变剂。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述光透射膜是包括所述波长转换材料的波长转换膜。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括：

在所述电极上的导电凸块。

10.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中所述反射封装部分包括与所述导电凸块的表面共面的至少一个表面。

11.一种制造半导体发光器件的方法，所述方法包括：

提供光透射膜；

在所述光透射膜上以规则间距施加处于未固化状态的光透射接合树脂的多个结构，使得所述光透射接合树脂的结构在所述光透射膜上根据公共的间距而间隔开；

在光透射接合树脂的分离的各个结构上设置多个半导体LED芯片，每个半导体LED芯片包括第一表面，在所述第一表面上定位电极，使得对于设置在光透射接合树脂的给定结构上的每个给定的半导体芯片，所述给定的半导体LED芯片的所述第一表面远离所述光透射膜并且所述光透射接合树脂的所述给定结构的一部分沿着所述给定的半导体LED芯片的侧表面延伸；

固化光透射接合树脂的每个结构的所述光透射接合树脂，使得所述半导体LED芯片接合到所述光透射膜，同时保持所述光透射接合树脂的所述部分在所述半导体LED芯片的所述侧表面上延伸；以及

形成围绕接合到所述光透射膜的所述半导体LED芯片的反射封装部分，所述反射封装部分包括反射材料；

其中所述光透射膜和所述光透射接合树脂的至少之一包括波长转换材料，所述波长转换材料配置为将由一个或更多个所述半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。