[发明专利]半导体发光器件

说明书

一种半导体发光器件可以包括半导体发光二极管(LED)芯片、在LED芯片上的光透射膜以及在光透射膜与半导体LED芯片之间的光透射接合层。光透射膜和光透射接合层的至少之一可以包括波长转换材料，该波长转换材料配置为将由半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。光透射接合层可以具有延伸到侧表面以形成倾斜面的侧面倾斜区域。半导体发光器件还可以包括反射封装部分，该反射封装部分围绕光透射接合层，覆盖第一表面使得LED芯片的电极被至少部分地暴露。反射封装部分可以包括反射材料。

技术领域

本发明构思涉及半导体发光器件。

背景技术

半导体发光二极管(LED)可以包括在其中包括的配置为使用电能发射光的材料。半导体LED可以将由接合的半导体的电子和空穴的复合产生的能量转换成光，并发射所述光。这样的LED被广泛地用作照明装置的光源和用于大型液晶显示器的背光装置的光源，并且LED的发展正逐渐地加速。

在一些情形下，LED可以被提供为以各种形式封装的发光器件从而容易地安装在应用器件中。在这样的LED的封装工艺中，由于其它组件导致的光损耗或全反射可能导致问题，诸如产品的最终光效率的减小或颜色变化的增加。

发明内容

本发明构思的一些方面可以提供一种半导体发光器件，该半导体发光器件可以通过减少和/或最小化光损失而提高光效率。

根据本发明构思的一些示例实施方式，一种半导体发光器件可以包括：半导体发光二极管(LED)芯片、光透射膜、光透射接合层和反射封装部分。该半导体LED芯片可以具有第一表面、在第一表面上的电极、与第一表面相反的第二表面、以及在第一表面和第二表面之间的侧表面。该光透射膜可以在半导体LED芯片的第二表面上。该光透射接合层可以在光透射膜和半导体LED芯片之间。该光透射接合层可以配置为接合光透射膜至半导体LED芯片。该光透射接合层可以包括延伸到半导体LED芯片的侧表面以形成倾斜面的侧面倾斜区域。该反射封装部分可以围绕光透射接合层，该反射封装部分覆盖半导体LED芯片的第一表面以使得所述电极至少部分地从反射封装部分暴露，反射封装部分包括反射材料。光透射膜和光透射接合层的至少之一可以包括波长转换材料，该波长转换材料配置为将由半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。

根据本发明构思的一些示例实施方式，一种制造半导体发光器件的方法可以包括：提供光透射膜；在光透射膜上以规则间距施加处于未固化状态的光透射接合树脂的多个结构，使得光透射接合树脂的结构在光透射膜上根据基本上共同的间距间隔开；在光透射接合树脂的分离的各个结构上设置多个半导体LED芯片，每个半导体LED芯片包括第一表面，在第一表面上定位电极使得对于设置在光透射接合树脂的给定结构上的每个给定的半导体芯片，所述给定的半导体LED芯片的第一表面远离光透射膜并且光透射接合树脂的给定结构的一部分沿着所述给定的半导体LED芯片的侧表面延伸；固化光透射接合树脂的每个结构的光透射接合树脂，使得半导体LED芯片接合到光透射膜，同时保持光透射接合树脂的所述部分在半导体LED芯片的侧表面上延伸；以及形成围绕接合到光透射膜的半导体LED芯片的反射封装部分，反射封装部分包括反射材料。光透射膜和光透射接合树脂的至少之一包括波长转换材料，该波长转换材料配置为将由一个或更多个半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。

根据本发明构思的一些示例实施方式，一种半导体发光器件可以包括：半导体发光二极管(LED)芯片；在半导体LED芯片上的光透射膜；以及在光透射膜和半导体LED芯片之间的光透射接合层。光透射膜和光透射接合层的至少之一包括波长转换材料，该波长转换材料配置为将由半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。

根据本发明构思的一些示例实施方式，一种半导体发光器件可以包括半导体发光二极管(LED)芯片和在半导体LED芯片上的光透射接合层。光透射接合层包括波长转换材料，该波长转换材料配置为将由半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。