[发明专利]半导体存储元件

权利要求书

1.一种半导体存储元件，包含：

第一P型阱区，该第一P型阱区的延伸方向与一第一方向平行；

第二P型阱区，该第二P型阱区的延伸方向与该第一方向平行；

N型阱区，沿着该第一方向延伸，该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间；

其中，当由一平面图视向该半导体存储元件时，满足以下条件：

(1)该半导体存储元件定义有多个第一区域，各该第一区域沿着该第一方向排列；

(2)该半导体存储元件定义有至少一第二区域，且该第二区域位于两该第一区域之间，该第二区域与该第一区域彼此并不重叠；

(3)各该第二区域内还包含有至少两个第一电压提供接触件，分别提供一第一电压至该第一P型阱区以及该第二P型阱区，以及至少一第二电压提供接触件，提供一第二电压至该N型阱区，其中该第一电压提供接触件以及该第二电压提供接触件并不位于各该第一区域内；以及

(4)每一个第一区域内以及每一个第二区域内都包含有一个存储单元，每一个该存储单元都包含有多个N型晶体管以及多个P型晶体管，各该P型晶体管都位于该N型阱区的一范围内，而各该N型晶体管位于该第一P型阱区的一范围内或该第二P型阱区的一范围内。

2.如权利要求1所述的半导体存储元件，其中还包含有第一位线、第二位线以及多条字符线，每一个存储单元都包含有第一反向器以及第二反向器，该第一反向器包含有第一N型晶体管以及第一P型晶体管，该第二反向器包含有第二N型晶体管以及第二P型晶体管，且该第一反向器与该第二反向器互相耦合，第三N型晶体管，该第三N型晶体管具有源极以及漏极，分别与该第一反向器的输出端以及该第一位线相连，一第四N型晶体管，该第四N型晶体管具有源极以及漏极，分别与该第二反向器的输出端以及该第二位线相连，且该第三N型晶体管的一栅极以及该第四N型晶体管的一栅极都与该多条字符线中的其中一条字符线相连。

3.如权利要求2所述的半导体存储元件，其中各该存储单元中的该第一 P型晶体管与该第二P型晶体管位于该N型阱区的该范围内，该第一N型晶体管与该第三N型晶体管位于该第一P型阱区的该范围内，该第二N型晶体管与该第四N型晶体管位于该第二P型阱区的该一范围内。

4.如权利要求2所述的半导体存储元件，其中该第一区域内还包含:

与该第三N型晶体管以及该第一位线相连的第一接触；

与该第四N型晶体管以及该第二位线相连的第二接触；

与该多条字符线中的其中一条以及该第三N型晶体管的该栅极相连的第三接触；以及

与该多条字符线中的其中一条以及该第四N型晶体管的该栅极相连的第四接触。

5.如权利要求1所述的半导体存储元件，其中该第一区域内并不包含有提供该第一电压予该第一P型阱区的任何接触结构。

6.如权利要求1所述的半导体存储元件，其中该第一区域内并不包含有提供该第一电压予该第二P型阱区的任何接触结构。

7.如权利要求1所述的半导体存储元件，其中该第一区域内并不包含有提供该第二电压予该N型阱区的任何接触结构。

8.如权利要求1所述的半导体存储元件，还包含有至少一第三区域，位于该第一区域以及该第二区域之间，其中每一个第三区域内包含有一个该存储单元，且该第三区域不与该第一区域以及该第二区域重叠。

9.如权利要求8所述的半导体存储元件，其中该第一区域、该第二区域以及该第三区域沿着该第一方向排列。

10.如权利要求8所述的半导体存储元件，其中从该平面图看，每一个第三区域与至少一个第一区域相邻，且该第三区域与该第一区域的交界部分定义有一第一交界线，该第一交界线不与该第一电压提供接触件以及该第二电压提供接触件重叠。