[发明专利]半导体存储元件

说明书

本发明公开一种半导体存储元件，包含一存储列，多个存储单元，一第一P型阱区，一第二P型阱区，以及一N型阱区，该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间。该半导体存储元件定义有多个第一区域以及多个第二区域，每一个第一区域以及每一个第二区域内都包含有一个该存储单元，各该第二区域内还包含有至少两个第一电压提供接触件，以及至少一第二电压提供接触件，其中该第一电压提供接触件以及该第二电压提供接触件并不位于各该第一区域内。

技术领域

本发明涉及一种半导体存储元件，尤其是涉及一种由静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)组成的半导体存储元件。

背景技术

在一嵌入式静态随机存取存储器(embedded static random access memory,embedded SRAM)中，包含有逻辑电路(logic circuit)和与逻辑电路连接的静态随机存取存储器。静态随机存取存储器本身属于一种挥发性(volatile)的存储单元(memory cell)，亦即当供给静态随机存取存储器的电力消失之后，所存储的数据会同时抹除。静态随机存取存储器存储数据的方式是利用存储单元内晶体管的导电状态来达成，静态随机存取存储器的设计是采用互耦合晶体管为基础，没有电容器放电的问题，不需要不断充电以保持数据不流失，也就是不需作存储器更新的动作，这与同属挥发性存储器的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)利用电容器带电状态存储数据的方式并不相同。静态随机存取存储器的存取速度相当快，因此有在电脑系统中当作快取存储器(cachememory)等的应用。

发明内容

本发明提供一种半导体存储元件，包含一第一P型阱区，该第一P型阱区的延伸方向与一第一方向平行，一第二P型阱区，该第二P型阱区的延伸方向与该第一方向平行，一N型阱区，沿着该第一方向延伸，该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间。

其中，当由一平面图视向该半导体存储元件时，满足以下条件：(1)该半导体存储元件定义有多个第一区域，各该第一区域沿着该第一方向排列；(2)该半导体存储元件定义有至少一第二区域，且该第二区域位于两该第一区域之间，该第二区域与该第一区域彼此并不重叠；(3)各该第二区域内还包含有至少两个第一电压提供接触件，分别提供一第一电压至该第一P型阱区以及该第二P型阱区，以及至少一第二电压提供接触件，提供一第二电压至该N型阱区，其中该第一电压提供接触件以及该第二电压提供接触件并不位于各该第一区域内；以及(4)每一个第一区域内以及每一个第二区域内都包含有一个存储单元，每一个该存储单元都包含有多个N型晶体管以及多个P型晶体管，各该P型晶体管都位于该N型阱区的一范围内，而各该N型晶体管位于该第一P型阱区的一范围内或该第二P型阱区的一范围内。

本发明的特征在于，设置长条形的N型阱区与P型阱区，而所有的存储单元都沿着该N型阱区与P型阱区设置，如此可以简化制作工艺。另外，各第一区域内的存储单元负责主要的数据存储功能，其所需要的电压(包括Vcc、Vss或是提供N型阱区与P型阱区的电压)则都不设置在第一区域内，而设置在第二区域或是第三区域内，可以缩减各第一区域的面积。此外，由于第二区域与第三区域也都包含有存储单元，因此必要时，第二区域与第三区域也可当作备用的存储数据元件。

附图说明

图1为本发明第一优选实施例的半导体存储元件的部分上视图；

图2为本发明静态随机存取存储器中一组六晶体管静态随机存取存储器(six-device SRAM,6T-SRAM)存储单元的电路图；

图3为本发明优选实施例的第一区域101内的一存储单元MC的布局图；

图4至图7为本发明部分第一区域101、部分第二区域102以及部分第三区域103的示意图。

符号说明

100 半导体存储元件