[发明专利]功率器件的调节器

权利要求书

1.一种调节功率器件的装置，包括：

第一晶体管，其中所述第一晶体管是场效应晶体管，并且其中所述第一晶体管是功率器件；

至少一个补充晶体管；

多个开关，其被布置成选择性地将所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管；以及

比较电路，其被布置成：

将参数与较低阈值相比较，其中所述参数是与所述第一晶体管相关联的栅极到源极电压或者与所述第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一项；以及

如果所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管耦合到所述第一晶体管并且所述参数小于所述较低阈值，则控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管从所述第一晶体管去耦合。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述多个开关被布置成选择性地将所述至少一个补充晶体管中的一个或多个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述参数是与所述第一晶体管相关联的栅极到源极电压，并且其中所述较低阈值为所述第一晶体管的温度稳定的工作点。

4.根据权利要求1所述的装置，其中

所述比较电路还被布置成：

将所述参数与较高阈值相比较；以及

如果少于所有的所述至少一个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合并且所述参数大于所述较高阈值，则控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管耦合到所述第一晶体管。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管是DMOSFET、PMOSFET或NMOSFET中的至少一项。

6.根据权利要求1所述的装置，还包括温度传感器，其中所述第一晶体管围绕所述温度传感器，并且其中所述第一晶体管和所述至少一个补充晶体管中的多个补充晶体管被布局为网格，在所述网格中，所述第一晶体管实质上在所述网格的中心，并且所述至少一个补充晶体管中的每个补充晶体管在所述网格中被布置在所述第一晶体管附近。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管被布置成在线性操作区域中操作，并且其中所述装置是线性调节器、预调节器、运算放大器、驱动器或放大器中的至少一项。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管被布置成作为线性电压调节器的功率传递元件工作。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管被布置成作为与线性电压调节器的功率传递元件串联耦合的预调节晶体管工作。

10.根据权利要求1所述的装置，其中

所述比较电路还被布置成：

将所述参数与较高阈值相比较；以及

如果少于所有的所述至少一个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合并且所述参数大于所述较高阈值，则控制所述多个开关将所述至少一个补充晶体管中的至少一个补充晶体管与所述第一晶体管并联耦合。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述比较电路包括计数器，所述计数器被布置成基于数字计数值来控制所述多个开关，其中所述比较电路被布置成使得所述数字计数值在所述参数小于所述较低阈值时递减，并且使得所述数字计数值在所述参数大于所述较高阈值时递增。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述比较电路还包括第一比较器和第二比较器，其中所述第一比较器被布置成将所述参数与所述较高阈值相比较，所述第一比较器被布置成向所述计数器提供第一比较器输出使得所述第一比较器输出在所述参数超过所述较高阈值时被置位，所述第二比较器被布置成向所述计数器提供第二比较器输出使得所述第二比较器输出在所述参数小于所述较低阈值时被置位。