[发明专利]功率器件的调节器

说明书

公开了消除热点生成的功率器件的尺寸调节。将参数与较低的阈值相比较。参数是与第一晶体管相关联的栅极到源极电压或与第一晶体管相关联的漏极电流。第一晶体管是场效应晶体管，并且第一晶体管是功率器件。如果至少一个补充晶体管中的一个或多个耦合到第一晶体管并且参数小于较低阈值，则多个开关被控制为将至少一个补充晶体管中的至少一个从第一晶体管去耦合。

技术领域

本公开涉及功率器件，更具体地涉及消除功率器件中的热点。

背景技术

线性调节器被布置成根据输入电压生成调节的输出电压。线性调节器可以包括功率传递元件，其如同作为分压器的一部分的可变电阻器操作，其中可变电阻被连续地调节以保持恒定的输出电压。将输出电压与参考电压相比较，以向功率传递元件产生控制信号，其中控制信号驱动功率传递元件的栅极或基极。

发明内容

总体上，本公开涉及将参数与较低阈值相比较的过程。参数是与第一晶体管相关联的栅极到源极电压或与第一晶体管相关联的漏极电流。第一晶体管是场效应晶体管，并且第一晶体管是功率器件。如果至少一个补充晶体管中的一个或多个耦合到第一晶体管并且参数小于较低阈值，则多个开关被控制为将至少一个补充晶体管中的至少一个从第一晶体管去耦合。

在一些示例中，一种装置包括：第一晶体管，其中第一晶体管是场效应晶体管，并且其中第一晶体管是功率器件；至少一个补充晶体管；被布置成选择性地将至少一个补充晶体管中的一个或多个耦合到第一晶体管的多个开关；以及比较电路，其被布置成：将参数与较低阈值相比较，其中参数是与第一晶体管相关联的栅极到源极电压或与第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一个；以及如果至少一个补充晶体管中的一个或多个耦合到第一晶体管并且参数小于较低阈值，则控制多个开关将至少一个补充晶体管中的至少一个从第一晶体管去耦合。

在一些示例中，一种方法包括：将参数与较低阈值相比较，其中参数是与第一晶体管相关联的栅极到源极电压或与第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一个，其中第一晶体管是场效应晶体管，并且其中第一晶体管是功率器件；以及如果至少一个补充晶体管中的一个或多个耦合到第一晶体管并且参数小于较低阈值，则控制多个开关以将至少一个补充晶体管中的至少一个从第一晶体管去耦合，其中多个开关被布置成选择性地将至少一个补充晶体管中的一个或多个耦合到所述第一晶体管。

在一些示例中，一种设备包括：用于将参数与较低阈值相比较的装置，其中参数是与第一晶体管相关联的栅极到源极电压或与第一晶体管相关联的漏极电流中的至少一个，其中第一晶体管是场效应晶体管，并且其中第一晶体管是功率器件；用于控制在至少一个补充晶体管中的一个或多个耦合到第一晶体管并且参数小于较低阈值的情况下控制多个开关将一个或多个补充晶体管中的至少一个从第一晶体管去耦合的装置，其中多个开关被布置成选择性地将至少一个补充晶体管中的一个或多个耦合到第一晶体管。

在附图和下面的描述中阐述了本公开的一个或多个示例的细节。本公开的其他特征、目的和优点将从说明书和附图以及权利要求书中显而易见。

附图说明

参考以下附图描述本公开的非限制性和非穷举性示例。

图1是示出装置的示例的框图。

图2是示出可以由图1的装置的示例采用的处理的示例的流程图。

图3是包括图1的装置的示例的线性电压调节器的示例的框图。

图4是示出图3的线性电压调节器的示例的布局的框图。

图5是示出根据本公开的各方面布置的图3的线性电压调节器的示例的框图。

具体实施方式