[发明专利]晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构包括交错堆叠的第一堆叠层和第二堆叠层，所述第一堆叠层突出所述第二堆叠层以在所述堆叠结构的外侧形成开口，所述第一堆叠层为硅材质，所述第二堆叠层为硅锗材质；

位于所述开口中的薄膜侧墙，所述薄膜侧墙位于所述第二堆叠层的侧壁和第一堆叠层的表面，所述薄膜侧墙的介电常数大于等于20；以及

位于所述堆叠结构上的栅极结构和位于所述堆叠结构两侧的漏源外延结构。

2.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述薄膜侧墙的厚度为。

3.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，还包括填充在所述开口内的被所述薄膜侧墙包围的填充侧墙。

4.如权利要求3所述的晶体管，其特征在于，所述填充侧墙为氧化硅材质或氮化硅材质。

5.如权利要求1所述的晶体管，其特征在于，所述第一堆叠层突出所述第二堆叠层2nm-20nm。

6.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成堆叠结构和所述堆叠结构上的栅极结构，所述堆叠结构包括交错堆叠的第一堆叠层和第二堆叠层，所述第一堆叠层突出所述第二堆叠层以在所述堆叠结构的外侧形成开口，所述第一堆叠层为硅材质，所述第二堆叠层为硅锗材质；

在所述开口内形成薄膜侧墙，所述薄膜侧墙位于所述第二堆叠层的侧壁和第一堆叠层的表面，所述薄膜侧墙的介电常数大于等于20；以及

在所述堆叠结构两侧形成漏源外延结构。

7.如权利要求6所述的晶体管的制作方法，其特征在于，在所述半导体衬底上形成堆叠结构和所述堆叠结构上的栅极结构，所述堆叠结构包括交错堆叠的第一堆叠层和第二堆叠层，所述第一堆叠层突出所述第二堆叠层以在所述堆叠结构的外侧形成开口的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成交错堆叠的第一堆叠层和第二堆叠层；

在所述堆叠结构上形成栅极结构；以及

刻蚀所述第二堆叠层，使得所述第一堆叠层突出所述第二堆叠层以在所述堆叠结构的外侧形成开口。

8.如权利要求6所述的晶体管的制作方法，其特征在于，在所述开口内形成薄膜侧墙，所述薄膜侧墙位于所述第二堆叠层的侧壁和第一堆叠层的表面的步骤包括：

沉积薄膜材料层，覆盖所述半导体衬底、所述栅极结构及所述堆叠结构；

刻蚀去除部分薄膜材料层，保留位于所述第二堆叠层侧壁和第一堆叠层表面之间的部分薄膜材料层，作为所述薄膜侧墙。

9.如权利要求8所述的晶体管的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除部分薄膜材料层。

10.如权利要求8所述的晶体管的制作方法，其特征在于，在沉积薄膜材料层，覆盖所述半导体衬底、所述栅极结构及所述堆叠结构之后；在刻蚀去除部分薄膜材料层之前，还包括：

沉积填充材料层覆盖所述薄膜材料层，所述填充材料层填充满所述开口；

刻蚀去除部分填充材料层，保留位于所述开口中的部分填充材料层，作为填充侧墙，所述填充侧墙被所述薄膜材料层包围。

11.如权利要求10所述的晶体管的制作方法，其特征在于，采用干法刻蚀去除部分填充材料层。