[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底、位于所述衬底上的一个或多个半导体鳍片、以及在每个半导体鳍片周围的沟槽隔离结构；其中，所述沟槽隔离结构的上表面与所述半导体鳍片的上表面基本齐平，所述沟槽隔离结构包括：与所述半导体鳍片的延伸方向相交的第一沟槽隔离部，以及与所述半导体鳍片的延伸方向平行的第二沟槽隔离部；

对所述沟槽隔离结构执行刻蚀以露出所述半导体鳍片的一部分；

在对所述沟槽隔离结构执行刻蚀后，在所述半导体结构上形成图案化的缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第二沟槽隔离部，并且具有露出所述第一沟槽隔离部的开口，所述开口的宽度大于所述第一沟槽隔离部的宽度；

在所述开口中形成绝缘物层，所述绝缘物层的上表面与所述半导体鳍片的上表面基本齐平；以及

去除所述缓冲层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述开口中形成绝缘物层，所述绝缘物层的上表面与所述半导体鳍片的上表面基本齐平的步骤包括：

在形成所述缓冲层后的半导体结构上形成绝缘物层，所述绝缘物层填充所述开口；以及

对所述绝缘物层执行回蚀刻，以使得所述绝缘物层的上表面与所述半导体鳍片的上表面基本齐平。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

在对所述绝缘物层执行回蚀刻的步骤中，该回蚀刻还去除了所述缓冲层的一部分；

在去除所述缓冲层的一部分之后，所述缓冲层的上表面高于所述半导体鳍片的上表面，或者所述缓冲层的上表面与所述半导体鳍片的上表面齐平。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

采用沉积工艺形成所述绝缘物层，其中，所述沉积工艺的温度范围是200℃至400℃。

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

采用基于氟的等离子体处理工艺执行所述回蚀刻。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体结构上形成图案化的缓冲层的步骤包括：

形成覆盖在所述半导体结构上的缓冲层；

在所述缓冲层上形成图案化的掩模层；

以所述掩模层作为掩膜，刻蚀所述缓冲层以形成开口，所述开口露出所述第一沟槽隔离部；以及

去除所述掩模层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

所述缓冲层的材料包含碳；

所述绝缘物层的材料包括硅的氧化物。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

采用基于二氧化硫和氧气的刻蚀工艺刻蚀所述缓冲层以形成开口。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，

在刻蚀所述缓冲层以形成开口的步骤中，还去除了与所述第一沟槽隔离部相邻的所述半导体鳍片的边缘的一部分，以在所述半导体鳍片的边缘处形成凹口；

在形成所述绝缘物层的步骤中，所述绝缘物层还填充所述凹口。

10.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的一个或多个半导体鳍片；

在每个半导体鳍片周围的沟槽隔离结构；所述沟槽隔离结构露出所述半导体鳍片的一部分，所述沟槽隔离结构包括：与所述半导体鳍片的延伸方向相交的第一沟槽隔离部，以及与所述半导体鳍片的延伸方向平行的第二沟槽隔离部；

在所述沟槽隔离结构上的图案化的缓冲层，所述缓冲层覆盖所述第二沟槽隔离部，并且具有露出所述第一沟槽隔离部的开口，所述开口的宽度大于所述第一沟槽隔离部的宽度；

在所述开口中的绝缘物层，所述绝缘物层的上表面与所述半导体鳍片的上表面基本齐平。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述缓冲层的上表面高于所述半导体鳍片的上表面，或者所述缓冲层的上表面与所述半导体鳍片的上表面齐平。