[发明专利]具有非对称源极/漏极的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

从所述半导体衬底竖直地延伸的有源鳍；

位于所述半导体衬底上的隔离层；以及

位于所述有源鳍的上表面上的不对称源极/漏极，

其中，所述不对称源极/漏极包括第一晶体生长部分和从所述第一晶体生长部分的一部分延伸的第二晶体生长部分，

其中，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，所述第二晶体生长部分的下表面位于比所述第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上，

其中，所述有源鳍包括第一侧表面和与所述第一侧表面相对的第二侧表面，

其中，所述隔离层包括与所述有源鳍的第一侧表面接触的第一隔离区和与所述有源鳍的第二侧表面接触的第二隔离区，

其中，所述第二晶体生长部分与所述第二隔离区重叠，并且

其中，所述不对称源极/漏极的与所述第二隔离区重叠的下端部位于比所述不对称源极/漏极的与所述第一隔离区重叠的下端部更低的水平高度处。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体生长部分接触所述有源鳍的上表面，并且不接触所述第一侧表面和所述第二侧表面，并且

其中，所述第二晶体生长部分接触所述第二侧表面的一部分并且不接触所述第一侧表面。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二晶体生长部分包括矩形形状。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二晶体生长部分相对于所述有源鳍的延伸方向倾斜。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括与所述有源鳍交叉的栅极叠层。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述栅极叠层包括栅极介电层和栅电极。

7.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

从所述半导体衬底突出的有源鳍；

填充在所述有源鳍之间的器件隔离层，其中，所述器件隔离层的与所述有源鳍的侧表面相邻的上表面位于低水平高度处，并且所述器件隔离层的与平行于所述侧表面的其它侧表面相邻的上表面位于高水平高度处，所述高水平高度距所述半导体衬底的距离比所述低水平高度距所述半导体衬底的距离更大；以及

位于所述有源鳍上的不对称源极/漏极，

其中，所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，所述第一晶体生长部分接触所述有源鳍的上表面，所述第二晶体生长部分与所述第一晶体生长部分共享一个平面，并且所述第二晶体生长部分接触所述有源鳍的侧表面，

其中，所述第二晶体生长部分的下表面位于比所述第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述器件隔离层的与相邻有源鳍的相对侧表面相邻的上表面设置在相同的水平高度处。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括与所述有源鳍交叉的栅极叠层，

其中，所述栅极叠层中的每一个包括栅极介电层和栅电极，

其中，所述栅极介电层包括与所述器件隔离层的上表面和所述有源鳍的上表面接触的下表面以及与所述栅极介电层的下表面垂直的侧表面，并且

其中，所述栅电极接触所述栅极介电层的下表面和侧表面。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，还包括：

第一沟槽，其由所述有源鳍共享并且具有第一宽度；以及

第二沟槽，其具有大于第一宽度的第二宽度。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述第一沟槽的侧表面和所述第二沟槽的侧表面是所述有源鳍的侧表面。