[发明专利]具有非对称源极/漏极的半导体器件

说明书

一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，第二晶体生长部分与第一晶体生长部分共享一个平面，并且第二晶体生长部分的下表面布置在比第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。

本申请是基于2016年4月23日提交的、申请号为201610262462.X、发明创造名称为“具有非对称源极/漏极的半导体器件”的中国专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年4月23日提交的韩国专利申请第10-2015-0057193号的优先权，其公开内容以引用方式全部合并于此。

技术领域

本申请涉及一种半导体器件。

背景技术

最近，安装在移动产品中的半导体芯片趋向于小型化和高度集成，并且半导体器件相应地变小。

随着集成在半导体芯片中的半导体器件的尺寸缩小，晶体生长源极/漏极的接触面积减小，并且半导体器件的导通电流特性下降。已经提出了各种不同的解决这种问题的方法。

发明内容

本发明构思的各实施例提供一种半导体器件，在其中通过生长具有非对称形状的源极/漏极而进一步获得源极/漏极的接触面积。

本发明构思的其他实施例提供形成有利于高度集成并且具有优良的电特性的半导体器件的方法。

本发明构思的技术目的不限于上述公开；基于下面的描述，其他目的对于本领域普通技术人员而言会变得显而易见。

根据本发明构思的一个方面，一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍以及布置在所述有源鳍的上表面上的非对称菱形源极/漏极。所述源极/漏极包括第一晶体生长部分和第二晶体生长部分，所述第二晶体生长部分与所述第一晶体生长部分共享一个平面，并且所述第二晶体生长部分的下表面布置在比所述第一晶体生长部分的下表面更低的水平高度上。

所述第一晶体生长部分可以与所述有源鳍的上表面接触，并且所述第二晶体生长部分可以与所述有源鳍的侧表面接触。所述第二晶体生长部分可以与所述第一晶体生长部分共享一个平面，并且具有矩形形状。

根据本发明构思的另一个方面，一种半导体器件包括衬底、从所述衬底突出的有源鳍、填充在各有源鳍之间的器件隔离层以及形成在有源鳍上的非对称源极/漏极。邻近于有源鳍的一些侧表面的器件隔离层的上表面布置在相对低的水平高度上，并且邻近于与所述一些侧表面平行的其他侧表面的器件隔离层的上表面布置在相对高的水平高度上。所述多个源极/漏极包括：第一晶体生长部分，其与有源鳍的上表面和布置在相对高的水平高度上的器件隔离层的上表面接触；以及第二晶体生长部分，其与第一晶体生长部分共享平面，并且与各有源鳍的侧表面和布置在相对低的水平高度上的器件隔离层的上表面接触。

邻近于相邻有源鳍的相对的侧表面的器件隔离层的上表面可以布置在相同的水平高度上。所述半导体器件还可以包括与有源鳍交叉的栅极叠层。栅极叠层中的每一个可以包括栅极介电层和栅电极。栅极介电层可以包括：下表面，其接触器件隔离层的上表面和有源鳍的上表面；以及与所述下表面垂直的侧表面。栅电极可以与栅极介电层的下表面和侧表面接触。

所述半导体器件还可以包括：第一沟槽，其由多个有源鳍共享，并且具有第一宽度；以及第二沟槽，其具有大于第一宽度的第二宽度。第一沟槽的侧表面和第二沟槽的侧表面可以是有源鳍的侧表面。器件隔离层可以填充第一沟槽和第二沟槽，并且邻近于第一沟槽的侧表面的器件隔离层的上表面可以布置在比邻近于第二沟槽的侧表面的器件隔离层的上表面更高的水平高度上。