[发明专利]用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底具有通过在其内部离子注入簇而形成的吸除层以及形成在所述吸除层顶部的外延层；

(b)使所述半导体衬底经受800℃或更高的第一热处理；

(c)在步骤(b)之后，在所述半导体衬底的主表面处形成元件隔离膜和由所述元件隔离膜围绕的有源区域；

(d)将第一导电类型的第一杂质注入到所述有源区域中的所述半导体衬底中；

(e)将不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二杂质注入到所述有源区域中的所述半导体衬底中；和

(f)在步骤(d)和(e)之后，使所述半导体衬底经受600℃或更高的第二热处理。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述簇包括碳和氢。

3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在步骤(f)中，所述第二热处理在900℃或更高温度进行，以激活所述第一杂质和所述第二杂质。

4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在步骤(b)中，在所述吸除层中形成能够吸附氢的氢吸附层。

5.根据权利要求4所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在步骤(f)中，用从所述氢吸附层解吸的氢来终止所述半导体衬底的悬键。

6.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底具有通过在其内部离子注入簇而形成的吸除层以及形成在所述吸除层顶部的外延层；

(b)使所述半导体衬底经受800℃或更高温度的第一热处理；

(c)在步骤(b)之后，在所述半导体衬底的主表面处形成元件隔离膜和由所述元件隔离膜围绕的有源区域；

(d)在所述有源区域中经由第一绝缘膜在所述半导体衬底的所述主表面上方形成栅极电极；

(e)将杂质注入到所述有源区域中的所述栅极电极的相对端部中；和

(f)在步骤(e)之后，使所述半导体衬底经受600℃或更高温度的第二热处理。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述簇包括碳和氢。

8.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在步骤(f)中，所述第二热处理在900℃或更高温度进行，以激活所述杂质。

9.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在步骤(b)中，在所述吸除层中形成能够吸附氢的氢吸附层。

10.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，

其中在步骤(f)中，用从所述氢吸附层解吸的氢来终止所述半导体衬底的悬键。

11.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底具有通过在其内部离子注入簇而形成的吸除层以及形成在所述吸除层顶部的外延层；

(b)使所述半导体衬底经受800℃或更高温度的第一热处理；

(c)在步骤(b)之后，在所述半导体衬底的主表面处形成元件隔离膜和由所述元件隔离膜围绕的有源区域；

(d)在所述有源区域中经由第一绝缘膜在所述半导体衬底的所述主表面上方形成第一栅极电极；

(e)经由所述有源区域中的第二绝缘膜在所述半导体衬底的所述主表面上方形成第二栅极电极；

(f)将杂质以插入在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极之间的方式注入到所述半导体衬底的所述主表面中；和

(g)在步骤(f)之后，使所述半导体衬底经受600℃或更高温度的第二热处理。

12.根据权利要求11所述的用于制造半导体器件的方法，

其中步骤(e)的所述第二绝缘膜的形成步骤包括以下步骤：

(e-1)在所述半导体衬底的所述主表面处形成氧化硅膜；和

(e-2)在所述氧化硅膜上方形成氮化硅膜。

13.根据权利要求11所述的用于制造半导体器件的方法，

其中所述第二栅极电极形成在所述第一栅极电极的侧壁上方。