[发明专利]一种LED封装工艺

权利要求书

1.一种LED封装工艺，其特征在于:包括以下步骤：

（1）选取银胶和荧光粉，银胶与荧光粉的比例为1:14～1:24,将银胶和荧光粉混合在一起然后进行加热，加热温度为75～85℃，加热时间为20～25分钟，得到混合液a；

（2）向混合液a内加入强化剂，边加热边搅拌，加热时间为47～57分钟，加热温度为100～105℃，然后进行保温处理，保温时间为30～40分钟，保温温度为90～95℃，得到混合物b；

（3）将混合物b注入模具中成型，成型后取出得到混合物c，然后将混合物c贴在芯片与支架之间，得到半成品LED；

（4）将半成品LED放入烘烤箱内进行一次烘烤，一次烘烤温度为105～110℃，一次烘烤时间为16～19分钟；

（5）将一次烘烤后的半成品LED进行二次烘烤，二次烘烤为高压烘烤，压强为1.7～1.9Mpa，二次烘烤温度为115～120℃，二次烘烤时间为10～12分钟，二次烘烤后的半成品LED冷却至常温，得到LED封装成品；

所述强化剂是由以下重量份的成分制成：镁0.4～0.5、钒0.2～0.3、石墨0.7～0.9和硅酸盐1.3～1.5；

所述强化剂的制备方法是：将镁0.4～0.5、钒0.2～0.3、石墨0.7～0.9和硅酸盐1.3～1.5混合在一起，搅拌均匀，即可制得所述强化剂。

2.根据权利要求1所述一种LED封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：

（1）选取银胶和荧光粉，银胶与荧光粉的比例为1:14,将银胶和荧光粉混合在一起然后进行加热，加热温度为75℃，加热时间为20分钟，得到混合液a；

（2）向混合液a内加入强化剂，边加热边搅拌，加热时间为47分钟，加热温度为100℃，然后进行保温处理，保温时间为30分钟，保温温度为90℃，得到混合物b；

（3）将混合物b注入模具中成型，成型后取出得到混合物c，然后将混合物c贴在芯片与支架之间，得到半成品LED；

（4）将半成品LED放入烘烤箱内进行一次烘烤，一次烘烤温度为105℃，一次烘烤时间为16分钟；

（5）将一次烘烤后的半成品LED进行二次烘烤，二次烘烤为高压烘烤，压强为1.7Mpa，二次烘烤温度为115℃，二次烘烤时间为10分钟，二次烘烤后的半成品LED冷却至常温，使得混合物c固化，得到LED封装成品。

3.根据权利要求1所述一种LED封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：

（1）选取银胶和荧光粉，银胶与荧光粉的比例为1:19,将银胶和荧光粉混合在一起然后进行加热，加热温度为80℃，加热时间为22分钟，得到混合液a；

（2）向混合液a内加入强化剂，边加热边搅拌，加热时间为42分钟，加热温度为103℃，然后进行保温处理，保温时间为35分钟，保温温度为93℃，得到混合物b；

（3）将混合物b注入模具中成型，成型后取出得到混合物c，然后将混合物c贴在芯片与支架之间，得到半成品LED；

（4）将半成品LED放入烘烤箱内进行一次烘烤，一次烘烤温度为108℃，一次烘烤时间为17分钟；

（5）将一次烘烤后的半成品LED进行二次烘烤，二次烘烤为高压烘烤，压强为1.8Mpa，二次烘烤温度为118℃，二次烘烤时间为11分钟，二次烘烤后的半成品LED冷却至常温，使得混合物c固化，得到LED封装成品。

4.根据权利要求1所述一种LED封装工艺，其特征在于：包括以下步骤：

（1）选取银胶和荧光粉，银胶与荧光粉的比例为1:24,将银胶和荧光粉混合在一起然后进行加热，加热温度为85℃，加热时间为25分钟，得到混合液a；

（2）向混合液a内加入强化剂，边加热边搅拌，加热时间为57分钟，加热温度为105℃，然后进行保温处理，保温时间为40分钟，保温温度为95℃，得到混合物b；

（3）将混合物b注入模具中成型，成型后取出得到混合物c，然后将混合物c贴在芯片与支架之间，得到半成品LED；

（4）将半成品LED放入烘烤箱内进行一次烘烤，一次烘烤温度为110℃，一次烘烤时间为19分钟；

（5）将一次烘烤后的半成品LED进行二次烘烤，二次烘烤为高压烘烤，压强为1.9Mpa，二次烘烤温度为120℃，二次烘烤时间为12分钟，二次烘烤后的半成品LED冷却至常温，使得混合物c固化，得到LED封装成品。