[发明专利]电极结构的制备方法、电极结构、薄膜晶体管及显示装置

权利要求书

1.一种电极结构的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成金属薄膜层；

在所述金属薄膜层上依次形成多晶硅薄膜和光阻层；

对所述光阻层进行曝光显影，形成光阻层的图形；

保留所述光阻层的图形下方对应的所述多晶硅薄膜，去除剩余其他区域的所述多晶硅薄膜；

以所述光阻层的图形为掩膜，采用湿法刻蚀方法对所述金属薄膜层进行构图，形成金属电极的图形；

去除所述光阻层的图形。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述金属薄膜层上形成多晶硅薄膜，具体包括：

在所述金属薄膜层上沉积非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜进行晶化处理，形成多晶硅薄膜。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜的厚度为10nm至100nm。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，去除剩余其他区域的所述多晶硅薄膜，具体为：

通过干法刻蚀或湿法刻蚀的方法去除剩余其他区域的所述多晶硅薄膜。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成金属薄膜层，包括：

在所述衬底基板上形成铜材料的薄膜层。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成金属薄膜层，还包括：

在所述衬底基板上形成铜材料的薄膜层之前，在所述衬底基板上形成第一扩散阻挡层；和/或

在所述衬底基板上形成铜材料的薄膜层之后，在所述铜材料的薄膜层上形成第二扩散阻挡层。

7.一种采用如权利要求1-6任一项所述的制备方法制备的电极结构，其特征在于，所述电极结构包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的金属电极的图形，以及位于所述金属电极上的多晶硅薄膜。

8.一种薄膜晶体管的制备方法，包括形成栅电极的图形、有源层的图形和源漏电极的图形，其特征在于，所述栅电极的图形和/或所述源漏电极的图形采用如权利要求1-6任一项所述的制备方法制备。

9.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用如权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法制备。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的薄膜晶体管。