[发明专利]电极结构的制备方法、电极结构、薄膜晶体管及显示装置

说明书

本发明公开了一种电极结构的制备方法、电极结构、薄膜晶体管及显示装置，包括：在衬底基板上依次形成金属薄膜层、多晶硅薄膜和光阻层；对光阻层进行曝光显影，形成光阻层的图形；保留光阻层的图形下方对应的多晶硅薄膜，去除剩余其他区域的多晶硅薄膜；以光阻层的图形为掩膜采用湿法刻蚀方法对金属薄膜层进行构图形成金属电极的图形；去除光阻层的图形。在金属薄膜层上形成光阻层之前在金属薄膜层上形成了多晶硅薄膜，由于该多晶硅薄膜的表面凹凸不平，因此可以增加光阻层与金属薄膜层表面的粘附力，从而在以光阻层的图形为掩膜，采用湿法刻蚀方法对金属薄膜层进行构图时，光阻层不容易从金属薄膜层的表面脱落，保证了刻蚀工艺的顺利进行。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种电极结构的制备方法、电极结构、薄膜晶体管及显示装置。

背景技术

在制作薄膜晶体管的过程中，为了形成金属电极的图形，通常采用湿法刻蚀方法对金属电极进行刻蚀，但是，在湿法刻蚀的过程中，光阻层容易从金属电极表面脱落，影响刻蚀工艺的正常进行。

因此，如何在湿法刻蚀的过程中防止光阻层从金属电极表面脱落是一个亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种电极结构的制备方法、电极结构、薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示装置，用于解决采用湿法刻蚀时，金属电极顶层的金属表面与光阻层脱落的问题。

因此，本发明实施例提供了一种电极结构的制备方法，包括：

在衬底基板上形成金属薄膜层；

在所述金属薄膜层上依次形成多晶硅薄膜和光阻层；

对所述光阻层进行曝光显影，形成光阻层的图形；

保留所述光阻层的图形下方对应的所述多晶硅薄膜，去除剩余其他区域的所述多晶硅薄膜；

以所述光阻层的图形为掩膜，采用湿法刻蚀方法对所述金属薄膜层进行构图，形成金属电极的图形；

去除所述光阻层的图形。

较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在所述金属薄膜层上形成多晶硅薄膜，具体包括：

在所述金属薄膜层上沉积非晶硅薄膜；

对所述非晶硅薄膜进行晶化处理，形成多晶硅薄膜。

较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，所述多晶硅薄膜的厚度为10nm至100nm。

较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，去除剩余其他区域的所述多晶硅薄膜，具体为：

通过干法刻蚀或湿法刻蚀的方法去除剩余其他区域的所述多晶硅薄膜。

较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在衬底基板上形成金属薄膜层，包括：

在所述衬底基板上形成铜材料的薄膜层。

较佳地，在本发明实施例提供的上述制备方法中，在衬底基板上形成金属薄膜层，还包括：

在所述衬底基板上形成铜材料的薄膜层之前，在所述衬底基板上形成第一扩散阻挡层；和/或

在所述衬底基板上形成铜材料的薄膜层之后，在所述铜材料的薄膜层上形成第二扩散阻挡层。

相应地，本发明实施例还提供了一种上述的制备方法制备的电极结构，所述电极结构包括：衬底基板，位于所述衬底基板上的金属电极的图形，以及位于所述金属电极上的多晶硅薄膜。

相应地，本发明实施例还提供了薄膜晶体管的制备方法，包括形成栅电极的图形、有源层的图形和源漏电极的图形，所述栅电极的图形和/或所述源漏电极的图形采用如上述任一项所述的制备方法制备。