[发明专利]极紫外光的光刻光罩

权利要求书

1.一种极紫外光掩模结构，包含：

反射表面，包含在吸收材料内的图案化设计；

黑色边界区，在该图案化设计的边缘，该黑色边界区包含下方衬底的修饰表面形态以引导光线远离而不抵达后续反射体；

保护涂层，为在该反射表面上有高原子序数的材料，其中，该高原子序数在40范围内；以及

吸收层，在该保护涂层上；

其中，图案化设计是在该吸收层内形成直到该保护涂层，且该黑色边界区是经形成穿过该反射表面、该保护涂层及该吸收层而暴露该衬底的表面。

2.如权利要求1所述的极紫外光掩模结构，其中，在该反射表面位于该黑色边界区内的该下方衬底上提供该衬底的该修饰表面形态。

3.如权利要求2所述的极紫外光掩模结构，其中，该衬底为玻璃。

4.如权利要求2所述的极紫外光掩模结构，其中，该修饰表面形态为粗化表面。

5.如权利要求2所述的极紫外光掩模结构，其中，该修饰表面形态为倾斜表面。

6.如权利要求5所述的极紫外光掩模结构，其中，该倾斜表面为有角度表面。

7.如权利要求6所述的极紫外光掩模结构，其中，该有角度表面为定角表面。

8.如权利要求5所述的极紫外光掩模结构，其中，该倾斜表面为可变角度表面。

9.如权利要求8所述的极紫外光掩模结构，其中，该可变角度表面为抛物面或凹面。

10.如权利要求2所述的极紫外光掩模结构，其中，该修饰表面形态为包含杆体、柱体及角锥体的其中一者的有形状表面。

11.一种极紫外光掩模结构，包含：

衬底；

反射表面，在该衬底的相对表面上，该反射表面包含由相对高、低原子序数材料构成的多个交替层；

保护涂层，为在该反射表面上有高原子序数的材料，其中，该高原子序数在40范围内；

吸收层，在该保护涂层上；

图案化设计，在该吸收层内形成直到该保护涂层；以及

黑色边界区，经形成穿过该反射表面、该保护涂层及该吸收层而暴露该衬底的表面，该黑色边界区包含该衬底的修饰表面形态。

12.如权利要求11所述的极紫外光掩模结构，其中，该修饰表面形态为粗化表面。

13.如权利要求11所述的极紫外光掩模结构，其中，该修饰表面形态为倾斜表面。

14.如权利要求13所述的极紫外光掩模结构，其中，该倾斜表面为定角表面。

15.如权利要求13所述的极紫外光掩模结构，其中，该倾斜表面为可变角度表面。

16.如权利要求11所述的极紫外光掩模结构，其中，该修饰表面形态为包含杆体、柱体或角锥体的有形状表面。

17.一种制造极紫外光掩模结构的方法，该方法包含下列步骤：

在掩模中穿过反射表面形成黑色边界区，保护涂层为在该反射表面上有高原子序数的材料，以及吸收层在该保护涂层上，并暴露下方的衬底，其中，该高原子序数在40范围内；以及

修饰该黑色边界区的该衬底的表面形态以造成深紫外光散射远离而不抵达下一个反射体。

18.如权利要求17所述的方法，其中，修饰该表面形态的步骤包含：在黑色边界区形成后，用选择性蚀刻工艺或程序设定粗化法粗化该黑色边界区的表面。