[发明专利]极紫外光的光刻光罩

说明书

本揭示内容涉及极紫外光的光刻光罩，其有关于半导体结构，且更特别的是，有关于极紫外光的光刻光罩的修饰表面及制造方法。该结构包括具有图案化设计的反射表面，以及在该图案化设计的边缘的黑色边界区。该黑色边界区包括修饰表面形态以引导光线远离而不抵达后续反射体。

技术领域

本揭示内容是关于光罩结构，更特别的是，关于极紫外光的光刻光罩的修饰表面及制造方法。

背景技术

由于有明显较窄的照明波长(λ＝13.5纳米)，所以极紫外光(EUV)光刻有可能补足且最终取代习知深紫外光(DUV)光刻，除了其他效益以外，它还可提供增强的图案化分辨率及较低的工艺复杂度。目前EUV被开发成未来可能结合32纳米节距分辨率的浸润式光刻(immersion lithography)，有时被称为7纳米节点。

使用于EUV光刻的光学组件均基于反射而非折射光件。EUV反射体(mirror)由交替的材料(例如，钼与硅)层组成，也称为多层体。EUV光罩利用除已被蚀刻(图案化)的EUV吸收材料以外的反射涂层以展现所需的电路设计。不过，使用于EUV光刻的当前吸收体无法吸收所有的EUV光，而实际有约1至3％的反射率，这取决于吸收体高度。EUV光罩也呈现与邻场的重迭照射(overlapping shot)，这可能在电路设计的边缘上产生1.5％至5.0％以及在角落上产生4.5％至15％的额外背景光。每百分比的晶圆关键尺寸(CD)冲击可能有约1纳米以上，而导致关键尺寸(CD)大幅下降。

发明内容

在本揭示内容的一态样中，一种结构，其包含：包含图案化设计的反射表面；以及在该图案化设计的边缘的黑色边界区。该黑色边界区包含修饰表面形态以引导光线远离而不抵达后续反射体。

在本揭示内容的一态样中，一种结构，其包含：衬底；背面金属，在该衬底的表面上；反射表面，在该衬底的相对表面上，该反射表面包含由相对高、低原子序数材料构成的多个交替层；保护涂层，在该反射表面上；吸收层，在该保护涂层上；图案化设计，在该吸收层内形成直到该保护涂层；以及黑色边界区，经形成穿过该反射表面、该保护涂层及该吸收层而暴露该衬底的表面。该黑色边界区包含该衬底的修饰表面形态。

在本揭示内容的一态样中，一种方法，其包含下列步骤：在掩模中形成黑色边界区；以及修饰该黑色边界区的表面形态以造成深紫外光散射远离而不抵达下一个反射体。

附图说明

以下在实施方式中用本揭示内容的示范具体实施例的非限定性实施例参考多个附图描述本揭示内容。

图1根据本揭示内容的数个态样图示具有修饰表面形态的光罩结构。

图2a至图2c根据本揭示内容的数个态样图示黑色边界区内的不同表面形态。

具体实施方式

本揭示内容是有关于光罩结构，且更特别的是，有关于极紫外光的光刻光罩的修饰表面及制造方法。更特别的是，本揭示内容是有关于用于抑制深紫外光(DUV)辐射影响极紫外光(EUV)光罩的成像边界的结构及方法。有利的是，描述于本文的光罩可包括在“黑色边界”(BB)区内的修饰表面形态，使得反射的DUV光被散射离开而防止它抵达下一个反射体，从而减少或排除在电路设计组件上重迭的辐射。以此方式，有可能保持电路设计在曝光场边缘及角落的关键尺寸。