[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上的有源鳍；

在所述有源鳍上的栅结构；

直接在所述栅结构的侧壁上的栅间隔物结构，所述栅间隔物结构包括顺序堆叠的硅碳氮氧化物(SiOCN)图案和二氧化硅(SiO₂)图案；以及

源极/漏极层，其在所述有源鳍的与所述栅间隔物结构相邻的部分上。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第一硅氮化物图案，其在所述硅碳氮氧化物图案与所述二氧化硅图案之间。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一硅氮化物图案包括沿一方向截取的具有L状形状的剖面。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述硅碳氮氧化物图案接触所述栅结构的上侧壁，以及所述半导体器件还包括：

第二硅氮化物图案，其相对于所述衬底在所述硅碳氮氧化物图案下面，所述第二硅氮化物图案接触所述栅结构的下侧壁。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中

所述硅碳氮氧化物图案包括沿一方向截取的具有L状形状的剖面，

所述第二硅氮化物图案接触所述硅碳氮氧化物图案的底部，以及

所述第二硅氮化物图案包括沿所述方向截取的具有条形的剖面。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述硅碳氮氧化物图案包括沿一方向截取的具有L状形状的剖面。

7.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第三硅氮化物图案，其在所述二氧化硅图案的上侧壁上。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中

所述第三硅氮化物图案具有沿一方向截取的具有L状形状的剖面，

所述第三硅氮化物图案的侧壁接触所述二氧化硅图案的所述上侧壁，以及

所述第三硅氮化物图案的底部接触所述源极/漏极层的上表面。

9.如权利要求7所述的半导体器件，其中所述二氧化硅图案的厚度大于或等于所述第三硅氮化物图案的厚度。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅结构包括：

在所述有源鳍上的界面图案；

栅绝缘图案，其在所述界面图案的上表面和所述硅碳氮氧化物图案的侧壁上；

在所述栅绝缘图案上的功函数控制图案；以及

在所述功函数控制图案上的栅电极。

11.一种半导体器件，包括：

在衬底上的有源鳍；

在所述有源鳍上的栅结构；

栅间隔物结构，其在所述有源鳍上使得所述栅间隔物结构覆盖所述栅结构的侧壁，所述栅间隔物结构包括，

在所述有源鳍上的防扩散图案，

在所述防扩散图案上的硅碳氮氧化物图案，所述硅碳氮氧化物图案包括沿一方向截取的具有L状形状的剖面，

在所述硅碳氮氧化物图案上的防释气图案，所述防释气图案包括沿所述方向截取的具有L状形状的剖面，以及

在所述防释气图案上的补偿图案；以及

源极/漏极层，其在所述有源鳍的与所述栅间隔物结构相邻的部分上。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述防扩散图案、所述防释气图案和所述补偿图案分别包括硅氮化物、硅氮化物和硅氧化物。

13.如权利要求11所述的半导体器件，其中

所述防扩散图案接触所述栅结构的下侧壁，以及

所述硅碳氮氧化物图案接触所述栅结构的上侧壁。

14.如权利要求11所述的半导体器件，还包括：

蚀刻停止图案，其覆盖所述补偿图案的上侧壁和所述源极/漏极层的上表面。

15.如权利要求14所述的半导体器件，其中所述蚀刻停止图案包括硅氮化物。

16.一种半导体器件，包括：

衬底；

从所述衬底的上表面突出的有源区域；以及

在栅极的侧壁上的栅间隔物，所述栅间隔物为包括具有二氧化硅的补偿图案的多层结构。

17.如权利要求16所述的半导体器件，其中所述补偿图案被配置为补偿所述栅间隔物的厚度。