[发明专利]一种高压LED芯片的制造方法在审
| 申请号： | 201710286851.0 | 申请日： | 2017-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN108807351A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 吴永军;刘亚柱;唐军;吕振兴 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 王华英 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压LED芯片 光刻 刻蚀 绝缘层 外延片 电极金属 生长 蒸镀 制程 去除 制造 发光 腐蚀 保证 | ||
1.一种高压LED芯片的制造方法，其特征在于，包括步骤：
S1、对所述高压LED芯片的外延片进行光刻并在刻蚀出第一指定图形(A)；
S2、在所述外延片生成CBL，按照第二指定图形(B)对所述CBL进行光刻，形成基片；
S3、在所述基片上生长ITO并进行Mesa光刻，腐蚀所述ITO后进行Mesa刻蚀，形成形状为第三指定图形(C)的ITO；
S4、在所述基片上生长绝缘层，通过光刻或刻蚀去除多余的所述绝缘层，蒸镀PN电极金属，形成所述高压LED芯片。
2.根据权利要求1所述的高压LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤S1包括步骤：
S11、清洁所述外延片；
S12、在所述外延片上进行Isolation光刻，将裸露部分刻蚀至所述高压LED芯片的衬底层；
S13、去除光刻胶，并清洗干净。
3.根据权利要求1所述的高压LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤S2包括步骤：
S21、在所述外延片的表面沉积SiO2作为所述CBL；
S22、对所述CBL进行光刻，形成形状为所述第二指定图形(B)的所述CBL；
S23、腐蚀所述第二指定图形(B)外的多余的SiO2；
S24、去除光刻胶，并清洗干净。
4.根据权利要求3所述的高压LED芯片的制造方法，其特征在于，所述CBL的厚度为250nm～500nm。
5.根据权利要求1所述的高压LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤S3包括步骤：
S31、在所述基片上蒸镀或溅射形成所述ITO；
S32、对所述ITO进行光刻形成形状为所述第三指定图形(C)的所述ITO；
S33、腐蚀所述第三指定图形(C)外的多余的所述ITO；
S34、使用ICP刻蚀所述ITO的外延；
S35、去除光刻胶，并清洗干净。
6.根据权利要求5所述的高压LED芯片的制造方法，其特征在于，所述ITO的厚度为20nm～200nm；所述ICP刻蚀的深度为1μm～2μm。
7.根据权利要求1所述的高压LED芯片的制造方法，其特征在于，所述步骤S4包括步骤：
S41、在所述基片的表面沉积SiO2作为绝缘层；
S42、对所述绝缘层进行光刻形成形状为第四指定图形(D)的所述绝缘层；
S43、使用湿法腐蚀或干法刻蚀去除所述第四指定图形(D)外的多余SiO2；
S44、蒸镀金属电极；
S45、剥离多余金属；
S46、去除光刻胶，并清洗干净。
8.根据权利要求7所述的高压LED芯片的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为80nm～500nm；所述电极厚度为1μm～3μm。
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