[发明专利]一种气相沉积设备及薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种气相沉积设备，其特征在于，包括：

机台、至少一个的加热单元以及控制器；

其中，所述控制器用于控制所述加热单元对放置在所述机台上的基板的待成膜区域进行加热，以使所述待成膜区域达到气相沉积的成膜温度；

所述基板上设置有导电图形，所述待成膜区域包括所述导电图形的设置区域；

所述加热单元包括：

第一电源装置和电磁感应线圈；

所述控制器用于控制所述第一电源装置向所述电磁感应线圈施加交流电，从而控制所述电磁感应线圈以电磁能直接对所述导电图形进行加热。

2.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，还包括：

气相沉积腔室，所述机台设置在所述气相沉积腔室内。

3.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，

所述控制器具体用于，通过控制所述第一电源装置向所述电磁感应线圈施加交流电的频率的大小，进而控制所述电磁感应线圈对所述导电图形进行加热。

4.根据权利要求2所述的气相沉积设备，其特征在于，

所述机台设置在所述气相沉积腔室的底部，且上表面用于承载所述基板，所述电磁感应线圈设置在所述气相沉积腔室的外部，并位于所述机台的下方，所述机台以及所述气相沉积腔室的底部均由电解质材料制成。

5.根据权利要求2所述的气相沉积设备，其特征在于，

所述加热单元包括：

第二电源装置和加热电阻；

所述控制器用于控制所述第二电源装置向所述加热电阻施加直流电，从而控制所述加热电阻对所述基板进行加热，进而以热传导的方式加热所述基板的待成膜区域。

6.根据权利要求5所述的气相沉积设备，其特征在于，

所述加热电阻设置在所述机台放置基板的表面，并由平坦的热传导材料层覆盖，所述机台通过所述热传导材料层承载基板。

7.根据权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，还包括：

温度传感器，用于检测所述待成膜区域的温度，并输出所述待成膜区域的温度信息；

所述控制器还用于，接收所述温度信息，并根据所述温度信息，控制所述加热单元对所述待成膜区域进行恒温加热。

8.一种薄膜的制备方法，其特征在于，利用如权利要求1-7任一项所述的气相沉积设备在基板的待成膜区域制备薄膜。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，

所述待成膜区域为栅电极的设置区域，所述薄膜为半导体薄膜。