[发明专利]一种气相沉积设备及薄膜的制备方法

说明书

本发明提供一种气相沉积设备及薄膜的制备方法。其中，气相沉积设备包括：机台、至少一个的加热单元以及控制器；其中，所述控制器用于控制所述加热单元对放置在所述机台上的基板的待成膜区域进行加热，以使所述待成膜区域达到气相沉积的成膜温度。本发明的方案可以对基板上的待成膜区域进行精确加热，使得材料气体能够在待成膜区域处发生相关反应，以形成薄膜，从而更有效率地使用反应材料气体，避免了不必要的资源浪费。此外，由于本实施例直接对基板待成膜区进行加热，所以加热效率以及加热效果要明显高于现有的对反应材料气体进行加热的方案，因此对产品的良品率也有一定的提高。

技术领域

本发明涉及显示产品的制作领域，特别是指一种气相沉积设备及薄膜的制备方法。

背景技术

在现有显示基板的制作工艺中，需要使用化学气相沉积法在基板上形成功能膜层。

化学气相沉积的相关反应需要在较高的温度下才能进行，现有的制作方法是直接对反应气体加热，高温的反应气体在与基板接触后，会逐渐沉积，以形成膜层结构。

然而，对反应材料气体加热，会使得反应材料气体在整个基板表面进行沉积，而绝大部分情况下，基板只有部分区域才需要形成功能膜层，显然现有技术在材料气体用量上比较浪费，致使制作成本较高。

此外，对反应材料气体加热也具有较高的热散失，容易出现热量不均匀的现象，导致加热效果并不理想。

发明内容

本发明的目的是解决现有化学气相沉积方法需要消耗较多反应材料气体的问题。

为实现上述目的，一方面，本发明的实施例提供一种气相沉积设备，包括：

机台、至少一个的加热单元以及控制器；

其中，所述控制器用于控制所述加热单元对放置在所述机台上的基板的待成膜区域进行加热，以使所述待成膜区域达到气相沉积的成膜温度。

其中，所述气相沉积设备还包括：

气相沉积腔室，所述机台设置在所述气相沉积腔室内。

其中，所述基板上设置有导电图形，所述待成膜区域包括所述导电图形的设置区域；

所述加热单元包括：

第一电源装置和电磁感应线圈；

所述控制器用于控制所述第一电源装置向所述电磁感应线圈施加交流电，从而控制所述电磁感应线圈以电磁能直接对所述导电图形进行加热。

其中，所述控制器具体用于，通过控制所述第一电源装置向所述电磁感应线圈施加交流电的频率的大小，进而控制所述电磁感应线圈对所述导电图形进行加热。

其中，所述机台设置在所述气相沉积腔室的底部，且上表面用于承载所述基板，所述电磁感应线圈设置在所述气相沉积腔室的外部，并位于所述机台的下方，所述机台以及所述气相沉积腔室的底部均由电解质材料制成。

其中，所述加热单元包括：

第二电源装置和加热电阻；

所述控制器用于控制所述第二电源装置向所述加热电阻施加直流电，从而控制所述加热电阻对所述基板进行加热，进而以热传导的方式加热所述基板的待成膜区域。

其中，所述加热电阻设置在所述机台放置基板的表面，并由平坦的热传导材料层覆盖，所述机台通过所述热传导材料层承载基板。

其中，所述气相沉积设备还包括：

设置在所述气相沉积腔室上的导入装置，用于向所述气相沉积腔室导入反应材料气体；

设置在所述气相沉积腔室上的排风装置，用于将所述气相沉积腔室内的反应材料气体排出；