[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

位于基板上处于同层的第一栅极、源极和漏极，所述源极与所述第一栅极之间形成有第一缺口，所述漏极与所述第一栅极之间形成有第二缺口；

覆盖在所述第一栅极上的栅极绝缘层；

覆盖在所述源极、所述栅极绝缘层、所述漏极上以及填充在所述第一缺口及所述第二缺口的半导体层；

所述源极包括第一源极和第二源极，所述第一源极与所述第一栅极之间，以及第二源极与所述第一栅极之间分别形成有所述第一缺口，第一源极与所述漏极之间形成圆弧形沟道，所述第二源极与所述漏极之间形成复合沟道。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一缺口或所述第二缺口形状包括下列形状之一：为弧形、方形、W形。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：

位于所述半导体层上的钝化层；

位于所述钝化层上的第二栅极，所述第二栅极位于所述第一栅极上方；所述第一栅极和所述第二栅极通过栅极连接线连接，所述第一源极和所述第二源极通过源极连接线连接。

4.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管。

5.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4所述的显示面板。

6.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上通过一次图案化处理形成第一栅极、源极和漏极；所述源极与所述第一栅极之间形成有第一缺口，所述漏极与所述第一栅极之间形成有第二缺口；

在所述第一栅极上形成栅极绝缘层；

形成半导体层，其中，在所述第一栅极、所述源极和所述漏极上形成半导体层，且所述第一缺口和所述第二缺口中填充有半导体材料；

所述源极包括第一源极和第二源极，所述第一源极与所述第一栅极之间，以及第二源极与所述第一栅极之间分别形成有所述第一缺口，第一源极与所述漏极之间形成圆弧形沟道，所述第二源极与所述漏极之间形成复合沟道。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一缺口或所述第二缺口形状包括下列形状之一：为弧形、方形、W形。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述半导体层上形成钝化层；

形成栅极过孔和源极过孔；

形成金属导电层；

对所述金属导电层刻蚀形成第二栅极，所述第二栅极位于所述第一栅极的上方，其中，所述第一栅极和所述第二栅极通过所述栅极过孔的栅极连接线连接，所述第一源极和所述第二源极通过所述源极过孔的源极连接线连接。