[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置

说明书

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置，包括：位于基板上处于同层的第一栅极、源极和漏极，所述源极与所述第一栅极之间形成有第一缺口，所述漏极与所述第一栅极之间形成有第二缺口；覆盖在所述第一栅极上的栅极绝缘层；覆盖在所述源极、所述栅极绝缘层、所述漏极上以及填充在所述第一缺口及所述第二缺口的半导体层，从而简化了双栅极薄膜晶体管的工艺流程，进而提高产品的良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置。

背景技术

TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)是目前的主流显示产品，近年来各大面板厂商都在不断扩大生产规模，市场需求越来越大，提高生产效率和生产高质量的液晶显示产品是占领市场的关键。

现有技术中制作薄膜晶体管需要对栅极进行单独的一次图案化工艺处理，然后在对源极和漏极进行一次单独的图案化处理，在进行栅极绝缘层的处理，在上述处理过程中，需要对栅极、源极和漏极分别进行单独处理，制作薄膜晶体管的工艺流程较为复杂，并且栅极与源极和漏极容易产生层间段差，增加了开路风险。

发明内容

本发明提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板、显示装置，以解决如何简化双栅极薄膜晶体管的工艺流程，进而提高产品的良率的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种薄膜晶体管，包括：

位于基板上处于同层的第一栅极、源极和漏极，所述源极与所述第一栅极之间形成有第一缺口，所述漏极与所述第一栅极之间形成有第二缺口；

覆盖在所述第一栅极上的栅极绝缘层；

覆盖在所述源极、所述栅极绝缘层、所述漏极上以及填充在所述第一缺口及所述第二缺口的半导体层。

可选的，所述源极包括第一源极和第二源极，所述第一源极与所述第一栅极之间，以及第二源极与所述第一栅极之间分别形成有所述第一缺口。

可选的，所述第一缺口或所述第二缺口形状包括下列形状之一：为弧形、方形、W形。

可选的，所述薄膜晶体管还包括：

位于所述半导体层上的钝化层；

位于所述钝化层上的第二栅极，所述第二栅极位于所述第一栅极上方；所述第一栅极和所述第二栅极通过栅极连接线连接，所述第一源极和所述第二源极通过源极连接线连接。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示面板，包括权利要求1-4中任一项所述的薄膜晶体管。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种显示装置，包括权利要求5所述的显示面板。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：

在基板上通过一次图案化处理形成第一栅极、源极和漏极；所述源极与所述第一栅极之间形成有第一缺口，所述漏极与所述第一栅极之间形成有第二缺口；

在所述第一栅极上形成栅极绝缘层；

形成半导体层，其中，在所述第一栅极、所述源极和所述漏极上形成半导体层，且所述第一缺口和所述第二缺口中填充有半导体材料。

可选的，所述第一缺口或所述第二缺口形状包括下列形状之一：为弧形、方形、W形。

可选的，所述源极包括第一源极和第二源极，所述第一源极与所述第一栅极之间，以及第二源极与所述第一栅极之间分别形成有所述第一缺口。

可选的，所述方法还包括：

在所述半导体层上形成钝化层；