[发明专利]半导体发光模块及其半导体发光二极管芯片

权利要求书

1.一种半导体发光二极管芯片，其特征在于，所述半导体发光二极管芯片包括：

一半导体发光结构，所述半导体发光结构包括多个按序堆叠的半导体材料层，其中，多个所述半导体材料层之中的其中四层分别为一基底层、一n型导电层、一发光层以及一p型导电层；

一导光结构层，所述导光结构层连接于所述基底层；以及

一反光结构层，所述反光结构层连接于所述导光结构层；

其中，所述发光层连接于所述n型导电层与所述p型导电层之间，以用于产生一投射光源，且所述导光结构层连接于所述基底层与所述反光结构层之间，以用于接收所述投射光源；

其中，所述发光层所产生的所述投射光源投向所述导光结构层与所述反光结构层，且投向所述导光结构层与所述反光结构层的所述投射光源通过所述导光结构层与所述反光结构层的配合，以形成一从所述导光结构层的一外表面投射而出的广角光源。

2.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其特征在于，所述基底层、所述n型导电层、所述发光层以及所述p型导电层按序堆叠，且所述导光结构层的厚度介于0.4mm至0.8mm之间，其中，所述基底层为一蓝宝石材料层，所述n型导电层为一n型氮化镓材料层，且所述p型导电层为一p型氮化镓材料层。

3.根据权利要求1所述的半导体发光二极管芯片，其特征在于，所述导光结构层具有一入光面以及一围绕地连接于所述入光面的围绕出光面，所述入光面连接于所述基底层，且所述围绕出光面围绕地连接于所述基底层与所述反光结构层之间，其中，所述发光层所产生的所述投射光源穿过所述入光面以进入所述导光结构层内，且进入所述导光结构层内的所述投射光源穿过所述围绕出光面以离开所述导光结构层而形成所述广角光源。

4.一种半导体发光模块，其特征在于，所述半导体发光模块包括：

一电路基板；以及

一半导体发光二极管芯片，所述半导体发光二极管芯片设置在所述电路基板上，其中，所述半导体发光二极管芯片包括：

一半导体发光结构，所述半导体发光结构包括多个按序堆叠的半导体材料层，其中，多个所述半导体材料层之中的其中四层分别为一基底层、一n型导电层、一发光层以及一p型导电层；

一导光结构层，所述导光结构层连接于所述基底层；以及

一反光结构层，所述反光结构层连接于所述导光结构层；

其中，所述n型导电层的外侧端具有一第一芯片焊垫，且所述n型导电层的所述第一芯片焊垫通过一第一导电单元以电性连接于所述电路基板的一第一基板焊垫；

其中，所述p型导电层的外侧端具有一第二芯片焊垫，且所述p型导电层的所述第二芯片焊垫通过一第二导电单元以电性连接于所述电路基板的一第二基板焊垫；

其中，所述发光层连接于所述n型导电层与所述p型导电层之间，以用于产生一投射光源，且所述导光结构层连接于所述基底层与所述反光结构层之间，以用于接收所述投射光源；

其中，所述发光层所产生的所述投射光源投向所述导光结构层与所述反光结构层，且投向所述导光结构层与所述反光结构层的所述投射光源通过所述导光结构层与所述反光结构层的配合，以形成一从所述导光结构层的一外表面投射而出的广角光源。

5.根据权利要求4所述的半导体发光模块，其特征在于，所述基底层、所述n型导电层、所述发光层以及所述p型导电层按序堆叠，且所述导光结构层的厚度介于0.4mm至0.8mm之间，其中，所述基底层为一蓝宝石材料层，所述n型导电层为一n型氮化镓材料层，且所述p型导电层为一p型氮化镓材料层。

6.根据权利要求4所述的半导体发光模块，其特征在于，所述导光结构层具有一入光面以及一围绕地连接于所述入光面的围绕出光面，所述入光面连接于所述基底层，且所述围绕出光面围绕地连接于所述基底层与所述反光结构层之间，其中，所述发光层所产生的所述投射光源穿过所述入光面以进入所述导光结构层内，且进入所述导光结构层内的所述投射光源穿过所述围绕出光面以离开所述导光结构层而形成所述广角光源。