[发明专利]半导体发光模块及其半导体发光二极管芯片

说明书

本发明公开一种半导体发光模块及其半导体发光二极管芯片。半导体发光二极管芯片包括一半导体发光结构、一导光结构层以及一反光结构层。半导体发光结构包括一用于产生一投射光源的发光层。导光结构层连接于半导体发光结构。反光结构层连接于导光结构层。发光层所产生的投射光源投向导光结构层与反光结构层。借此，投向导光结构层与反光结构层的投射光源能通过导光结构层与反光结构层的配合，以形成一从导光结构层的一外表面投射而出的广角光源。

技术领域

本发明涉及一种发光模块及其发光二极管芯片，特别是涉及一种半导体发光模块及其半导体发光二极管芯片。

背景技术

发光二极管(LED)在各种电子产品与工业上的应用日益普及，发光二极管所需的能源成本远低于传统的白热灯或荧光灯，这是传统光源所无法能及的。发光二极管为一固态冷光源，通常会以芯片的形式存在，发光二极管芯片经过封装之后的尺寸仍然非常轻巧，因此在电子产品体积日益轻薄短小的趋势之下，发光二极管的需求也与日俱增。然而，传统的发光二极管芯片无法提供发光角度较大或者发光范围涵盖较广的广角光源。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种半导体发光模块及其半导体发光二极管芯片。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种半导体发光二极管芯片，其包括：一半导体发光结构、一导光结构层以及一反光结构层。所述半导体发光结构包括多个按序堆叠的半导体材料层，其中，多个所述半导体材料层之中的其中四层分别为一基底层、一n型导电层、一发光层以及一p型导电层。所述导光结构层连接于所述基底层。所述反光结构层连接于所述导光结构层。其中，所述发光层连接于所述n型导电层与所述p型导电层之间，以用于产生一投射光源，且所述导光结构层连接于所述基底层与所述反光结构层之间，以用于接收所述投射光源。其中，所述发光层所产生的所述投射光源投向所述导光结构层与所述反光结构层，且投向所述导光结构层与所述反光结构层的所述投射光源通过所述导光结构层与所述反光结构层的配合，以形成一从所述导光结构层的一外表面投射而出的广角光源。

更进一步地，所述基底层、所述n型导电层、所述发光层以及所述p型导电层按序堆叠，且所述导光结构层的厚度介于0.4mm至0.8mm之间，其中，所述基底层为一蓝宝石材料层，所述n型导电层为一n型氮化镓材料层，且所述p型导电层为一p型氮化镓材料层。

更进一步地，所述导光结构层具有一入光面以及一围绕地连接于所述入光面的围绕出光面，所述入光面连接于所述基底层，且所述围绕出光面围绕地连接于所述基底层与所述反光结构层之间，其中，所述发光层所产生的所述投射光源穿过所述入光面以进入所述导光结构层内，且进入所述导光结构层内的所述投射光源穿过所述围绕出光面以离开所述导光结构层而形成所述广角光源。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种半导体发光模块，其包括：一电路基板以及一半导体发光二极管芯片。所述半导体发光二极管芯片设置在所述电路基板上，其中，所述半导体发光二极管芯片包括：一半导体发光结构、一导光结构层以及一反光结构层。所述半导体发光结构包括多个按序堆叠的半导体材料层，其中，多个所述半导体材料层之中的其中四层分别为一基底层、一n型导电层、一发光层以及一p型导电层。所述导光结构层连接于所述基底层。所述反光结构层连接于所述导光结构层。其中，所述n型导电层的外侧端具有一第一芯片焊垫，且所述n型导电层的所述第一芯片焊垫通过一第一导电单元以电性连接于所述电路基板的一第一基板焊垫。其中，所述p型导电层的外侧端具有一第二芯片焊垫，且所述p型导电层的所述第二芯片焊垫通过一第二导电单元以电性连接于所述电路基板的一第二基板焊垫。其中，所述发光层连接于所述n型导电层与所述p型导电层之间，以用于产生一投射光源，且所述导光结构层连接于所述基底层与所述反光结构层之间，以用于接收所述投射光源。其中，所述发光层所产生的所述投射光源投向所述导光结构层与所述反光结构层，且投向所述导光结构层与所述反光结构层的所述投射光源通过所述导光结构层与所述反光结构层的配合，以形成一从所述导光结构层的一外表面投射而出的广角光源。