[发明专利]一种单相CuO纳米片阵列薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种单相CuO纳米片阵列薄膜，其特征在于：以高纯铜材为基底材料，高纯铜材上垂直生长有CuO纳米片阵列薄膜，CuO纳米片的厚度为10-30nm，CuO纳米片的长度300-500nm，CuO纳米片均匀致密生长于基底材料上，呈纳米花状，与基底材料结合牢固；

上述单相CuO纳米片阵列薄膜采用如下方法制备而成：

在双电极电化学反应体系中，以高纯铜材作为阳极，以高纯钛片作为阴极，以氢氧化钠、氯化钠、聚乙二醇20000为基础电解液，(NH₄)₆Mo₇O₂₄·4H₂O为形貌和相结构控制剂，采用恒电流阳极氧化工艺，制得单相CuO纳米片阵列薄膜；

所述的高纯铜材的纯度≥99.99％，所述的高纯钛片的纯度≥99.6％。

2.根据权利要求1所述的单相CuO纳米片阵列薄膜，其特征在于：基础电解液成分为：40-60g/L氢氧化钠、100-150g/L氯化钠、0.5-1.5g/L聚乙二醇20000，(NH₄)₆Mo₇O₂₄·4H₂O的添加量为5-60g/L。

3.根据权利要求1所述的单相CuO纳米片阵列薄膜，其特征在于：以高纯铜材作为阳极，以高纯钛片作为阴极，放入电解槽中，接上直流稳压电源，选择恒流模式；电解液温度为65-70℃时，电流密度为0.5-1.5A/dm²，阳极氧化时间为20-60min。

4.根据权利要求1所述的单相CuO纳米片阵列薄膜，其特征在于：所述的高纯钛片的有效面积为高纯铜材有效面积的2.5-3.5倍。

5.根据权利要求1所述的单相CuO纳米片阵列薄膜，其特征在于：高纯铜材进行如下预处理：将高纯铜材用蒸馏水清洗后，在RY-522铜化学抛光液中室温下浸泡20-30s，然后取出用蒸馏水清洗后，再用10g/LNaOH中和处理后，用蒸馏水超声波清洗干净直接入槽阳极化。

6.根据权利要求1所述的单相CuO纳米片阵列薄膜，其特征在于：所述的高纯铜材为高纯铜箔、高纯铜网、高纯铜板、高纯铜带中的一种。