[发明专利]多孔硅材料的水热制备方法和气体荧光传感器的制备方法有效
| 申请号： | 201710293877.8 | 申请日： | 2017-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN107188184B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 程露丹;张冉;马辉 | 申请（专利权）人： | 杭州芬得检测技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;G01N21/64;C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 浙江杭知桥律师事务所 33256 | 代理人： | 王梨华;陈丽霞 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多孔 材料 制备 方法 气体 荧光 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.多孔硅材料的水热制备方法，包括以下步骤：
单晶硅片用乙醇、丙酮浸泡后清洗；
清洗后将单晶硅片置于水热反应釜的内衬中，在内衬中注入腐蚀溶液；
将内衬放于水热反应釜外壳内，将水热反应釜置于烘箱中进行加热反应，待其反应结束冷却至室温后，取出单晶硅片冲洗干净；
冲洗干净的单晶硅片经双氧水浸泡后取出烘干；
其特征在于：腐蚀溶液为质量分数30％-50％的HF溶液和浓度0.3-1mol/L的硝酸锌溶液，HF溶液和硝酸锌溶液的体积比为2.5:1-6:1。
2.根据权利要求1所述的多孔硅材料的水热制备方法，其特征在于：烘箱加热温度为130℃-160℃，时间为1-2小时。
3.根据权利要求1所述的多孔硅材料的水热制备方法，其特征在于：双氧水的质量分数为3％，浸泡时间1-3天。
4.根据权利要求1所述的多孔硅材料的水热制备方法，其特征在于：单晶硅片为单面抛光的P型单晶硅片，电阻率为0.001-2Ω·cm。
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