[发明专利]晶体管结构、显示装置以及制造晶体管结构的方法

说明书

本发明涉及晶体管结构、显示装置以及制造晶体管结构的方法。该晶体管结构可以包括：第一电极、第二电极、第三电极、基板和半导体构件。半导体构件与第三电极重叠并且包括第一半导体部分、第二半导体部分和第三半导体部分。第一半导体部分直接接触第一电极、直接连接至第三半导体部分并且通过第三半导体部分连接至第二半导体部分。第二半导体部分直接接触第二电极并且直接连接至第三半导体部分。第一半导体部分与基板之间的最小距离不等于第二半导体部分与基板之间的最小距离。

本申请要求享有2016年4月29日向韩国专利局提交的韩国专利申请第10-2016-0053025号的优先权和权益；该韩国专利申请的公开通过引用合并于本文。

技术领域

技术领域涉及一种晶体管结构、一种包括该晶体管结构的液晶显示装置以及一种制造该晶体管结构的方法。

背景技术

显示装置可以根据输入信号显示图像。显示装置的各种类型可以包括液晶显示(LCD)装置、有机发光显示(OLED)装置以及其他。

诸如液晶显示装置的显示装置可以包括场生成电极以及液晶层，场生成电极诸如像素电极和公共电极。电压可以施加至场生成电极以在液晶层中生成电场，以用于控制入射光的传输，由此显示图像。

显示装置可以包括晶体管和遮光构件。晶体管可以控制电压的施加并且可以布置在由遮光构件所覆盖的遮光区域中。遮光区域的大小可以影响由显示装置所显示的图像的质量。

发明内容

在实施例中，一种阵列基板可以是/包括晶体管结构。

实施例可以涉及一种包括具有高孔径比的像素的阵列基板。

实施例可以涉及一种包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的阵列基板。

实施例可以涉及一种适用于高分辨率显示装置的阵列基板。

实施例可以涉及一种具有高孔径比的显示装置，例如液晶显示装置。

实施例可以涉及一种包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的显示装置，例如液晶显示装置。

实施例可以涉及一种包括适用于高分辨率显示装置的阵列基板的显示装置，例如液晶显示装置。

实施例可以涉及一种制造包括具有高孔径比的像素的阵列基板的方法。

实施例可以涉及一种制造包括具有稳定电特性的薄膜晶体管的阵列基板的方法。

实施例可以涉及一种制造适用于高分辨率显示装置的阵列基板的方法。

根据实施例，一种阵列基板(其可以是/包括晶体管结构)可以包括以下元件：第一基板(或基底基板)；布置在第一基板上的结构构件，包括定位在第一基板的上表面之上的上表面，并且包括从结构构件的上表面向第一基板的上表面延伸的侧表面；布置在结构构件的侧表面上的栅电极；与栅电极绝缘并且彼此间隔开的源电极和漏电极；以及接触源电极和漏电极中的每一个的半导体构件，其中源电极或漏电极布置在结构构件的上表面上。

栅电极可以布置在结构构件的侧表面上。

结构构件的侧表面可以包括倾斜表面，并且栅电极可以沿着倾斜表面布置。

半导体构件可以布置在栅电极上，并且可以包括具有与结构构件的侧表面的倾斜表面相同斜率的倾斜表面。

阵列基板可以包括电连接源电极和漏电极的沟道，其中沟道沿着半导体构件的倾斜表面延伸。沟道可以是半导体构件的一部分。

栅电极的一端可以在垂直方向上与结构构件的上表面重叠，并且栅电极的另一端可以在垂直方向上不与结构构件的上表面重叠。

半导体构件的一端可以在垂直方向上与结构构件的上表面重叠，并且半导体构件的另一端可以在垂直方向上不与结构构件的上表面重叠。