[发明专利]一种物理溅射成膜装置及方法

权利要求书

1.一种物理溅射成膜装置，其特征在于，所述物理溅射成膜装包括：

真空的腔体；

设于所述腔体内的基板台，其上设有待成膜的基板；

设于所述腔体内的靶材，其与所述基板相对设置；

至少一个方阻计，其与所述靶材相接以用于实时测定所述靶材的实际电阻值；

激发源，其用于轰击所述靶材使其溅射出靶材原子；

控制系统，其与所述方阻计相接。

2.如权利要求1所述的物理溅射成膜装置，其特征在于，所述靶材设于靶材背板上。

3.如权利要求2所述的物理溅射成膜装置，其特征在于，所述靶材通过粘结层粘附在所述靶材背板上。

4.如权利要求1所述的物理溅射成膜装置，其特征在于，所述靶材的两端分别接有所述方阻计。

5.如权利要求3所述的物理溅射成膜装置，其特征在于，所述方阻计包括绝缘针杆和套设于所述绝缘针杆内的电阻测量探针，其中，所述绝缘针杆穿过所述靶材背板以及所述粘结层以使所述电阻测量探针与所述靶材相连。

6.如权利要求1所述的物理溅射成膜装置，其特征在于，所述控制系统内设定有所述靶材的临界电阻值，所述控制系统获取所述方阻计所测得的实际电阻值，并将所述实际电阻值与所述临界电阻值进行对比，在所述实际电阻值达到所述临界电阻值时，所述控制系统发出警报信号。

7.一种物理溅射成膜方法，其特征在于，使用如权利要求1至6中任意一项中所述的物理溅射成膜装置，所述物理溅射成膜方法包括以下步骤：

S1)：在待成膜的基板溅射成膜过程中实时测量靶材的实际电阻值；

S2)：将所述实际电阻值与所述靶材的临界电阻值对比，所述电阻值达到所述临界电阻值时，发出信号以更换所述靶材。

8.如权利要求7所述的物理溅射成膜方法，其特征在于，在步骤S1)中，通过方阻计测量所述靶材的实际电阻值。

9.如权利要求8所述的物理溅射成膜方法，其特征在于，在步骤S2)中，将所述实际电阻值反馈至控制系统，所述控制系统将所述实际电阻值与所述控制系统中设定的所述临界电阻值进行对比。

10.如权利要求9所述的物理溅射成膜方法，其特征在于，分别测量所述靶材的两端的所述实际电阻值，当所述两端中的其中一端的所述实际电阻值达到所述临界电阻值时，所述控制系统发出警报信号以更换所述靶材。