[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成图案化的第一掩模层，以定义埋层的位置；

以所述第一掩模层为掩模执行第一离子注入，以在所述第一掩模层两侧的衬底中形成彼此间隔开的第一埋层和第二埋层，所述第一埋层和所述第二埋层具有第一导电类型，所述第一埋层和所述第二埋层包括第一杂质和原子量小于所述第一杂质的第二杂质；

执行第二离子注入，以在所述第一埋层和第二埋层之间的衬底中形成具有第二导电类型的隔离区，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

在形成所述隔离区之后，去除所述第一掩模层；

在去除所述第一掩模层之后，在所述衬底上形成半导体层；以及

在形成所述半导体层之后，执行退火工艺，所述退火工艺使得所述第一埋层和所述第二埋层中的第二杂质的至少一部分向所述半导体层扩散，从而在所述半导体层中形成在所述第一埋层上的第一扩散区以及在所述第二埋层上的第二扩散区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第二离子注入还在所述第一埋层下的衬底中形成具有第二导电类型的第一掺杂区；

所述第二离子注入还在所述第二埋层下的衬底中形成具有第二导电类型的第二掺杂区。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺还使得所述隔离区中的杂质的至少一部分向所述半导体层扩散，从而在所述半导体层中形成在所述隔离区上的第三扩散区。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：

形成第一连接部和第二连接部，所述第一连接部从所述半导体层的表面延伸到所述第一扩散区，所述第二连接部从所述半导体层的表面延伸到所述第二扩散区；以及

形成第三连接部，所述第三连接部从所述半导体层的表面延伸到所述第三扩散区；

其中，所述第一连接部和所述第二连接部具有第一导电类型，所述第三连接部具有第二导电类型。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成第一连接部和第二连接部包括：

在所述半导体层上形成图案化的第二掩模层，所述第二掩模层具有露出所述半导体层的一部分的第一开口和第二开口；

执行第三离子注入，以对所述第一开口和所述第二开口下的半导体层进行掺杂，从而形成所述第一连接部和所述第二连接部；以及

去除所述第二掩模层。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成第三连接部包括：

在所述半导体层上形成图案化的第三掩模层，所述第三掩模层具有露出所述半导体层的一部分的第三开口；

执行第四离子注入，以对所述第三开口下的半导体层进行掺杂，从而形成所述第三连接部；以及

去除所述第三掩模层。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一连接部中形成第一接触，并在所述第一接触上形成第一接触件；

在所述第二连接部中形成第二接触，并在所述第二接触上形成第二接触件；以及

在所述第三连接部中形成第三接触，并在所述第三接触上形成第三接触件。