[发明专利]通过原子层沉积形成的电荷俘获层

权利要求书

1.一种形成氮氧化锗膜的方法，该方法包括：

提供用于在反应腔室中进行处理的基材；

用锗前体和氧前体在基材上进行包含锗的氧化物的原子层沉积循环；以及

用锗前体和氮前体在基材上进行包含锗的氮化物的原子层沉积循环；

其中，为了形成具有所期望厚度和化学计量的氮氧化锗膜，视需要重复氧化物的原子层沉积循环和氮化物的原子层沉积循环。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化物的原子层沉积循环在100℃～500℃的温度下进行。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化物的原子层沉积循环的持续时间为0.1s～100s。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氧化物的原子层沉积循环包括如下步骤：

施加锗前体脉冲；

吹扫过量的锗前体；

施加氧前体脉冲；和

吹扫过量的氧前体。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述锗前体包括以下至少一种：四(二甲基氨基)锗(TDMAGe)、四(二乙基氨基)锗(TDEAGe)、四(乙基甲基氨基)锗(TEMAGe)、乙醇锗(Ge(OEt)₄)、甲醇锗(Ge(OMe)₄)、四(三甲基甲硅烷基)锗烷或四氯化锗(GeCl₄)。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧前体包括以下至少一种：水(H₂O)、过氧化氢(H₂O₂)、臭氧(O₃)、氧等离子体、或氧自由基。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氮化物的原子层沉积循环在100℃～500℃的温度下进行。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氮化物的原子层沉积循环的持续时间为0.1s～100s。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氮化物的原子层沉积循环包括如下步骤：

施加锗前体脉冲；

吹扫过量的锗前体；

施加氮前体脉冲；和

吹扫过量的氮前体。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述锗前体包括以下至少一种：四(二甲基氨基)锗(TDMAGe)、四(二乙基氨基)锗(TDEAGe)、四(乙基甲基氨基)锗(TEMAGe)、乙醇锗(Ge(OEt)₄)、甲醇锗(Ge(OMe)₄)、四(三甲基甲硅烷基)锗烷或四氯化锗(GeCl₄)。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮前体包括以下至少一种：肼(N₂H₄)、二甲基肼、四丁基肼、氨(NH₃)、氮等离子体或氮自由基。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，氮氧化锗膜可以用于VNAND应用，或者用作图案化的牺牲层。

13.一种形成用于V-NAND堆叠体的氮氧化锗膜层的方法，该方法包括：

提供用于在反应腔室中进行处理的基材；

在基材上进行氧化物的原子层沉积循环，所述氧化物的原子层沉积循环包括：

施加锗前体脉冲；和

施加氧前体脉冲；以及

在进行氧化物的原子层沉积循环之前或之后，在基材上进行氮化物的原子层沉积循环，所氮化物的原子层沉积循环包括：

施加锗前体脉冲；和

施加氮前体脉冲；

其中，为了形成具有所期望厚度和化学计量的氮氧化锗膜，视需要重复氧化物的原子层沉积循环和氮化物的原子层沉积循环，以及

其中，所述氧前体与所述氮前体不同。