[发明专利]通过原子层沉积形成的电荷俘获层

说明书

本发明涉及通过原子层沉积形成的电荷俘获层。本申请公开了一种用于形成适用于V‑NAND堆叠体的层的方法。具体地说，为了形成氮氧化物层，所述方法可以包括用于形成氧化物和氮化物的多重循环。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年6月3日提交且标题为“用于通过氮化来钝化半导体的方法”的美国非临时专利申请第14/729,510号的优先权，所述专利申请通过引用全文纳入本文。

发明领域

本发明公开一般涉及用于制造电子装置的工艺。更具体地说，所述公开内容涉及通过原子层沉积(ALD)形成膜。具体地，例如，所公开内容公开了用于形成电荷俘获层诸如含有氮氧化锗的层的方法。

发明背景

V-NAND被挑选用于在闪存应用中使用。不同材料被挑选用于V-NAND领域中，例如多晶硅(作为通道层)、氧化硅(作为隧道氧化物(tunneling oxide)和阻隔氧化物(blocking oxide))、氮化硅(作为电荷俘获层)、氧化铝(作为阻隔氧化物)。对于可以有效用于V-NAND电荷俘获层(CTL)的材料，应当具有合适的导带偏移(CBO)、以及产生具有深能级的势阱并降低热发射的能力。CLT材料还应当通过具有以下特征适应整合流程：与阻隔氧化物(BO)的相容性；高温稳定性；以及对于大于1:50的长宽比的高阶差覆盖度。

因此，期望一种方法，用于形成具有可靠操作能力的V-NAND装置。

发明内容

根据本发明的至少一个实施方式，公开了用于形成V-NAND装置的方法。所述方法包括：提供一种用于在反应腔室内加工的基材；在基材上进行氮化物的原子层沉积循环；在基材上进行氧化物的原子层沉积循环；其中，为了形成具有所期望层厚和化学计量的氮氧化物膜，视需要重复氮化物的原子层沉积循环和氧化物的原子层沉积循环。

根据本发明的至少一个实施方式，公开了用于形成V-NAND装置的方法。所述方法包括：提供一种用于在反应腔室内加工的含有SiO₂的基材；在含有SiO₂的基材上进行氧化物的原子层沉积循环；在SiO₂基材上进行氮化物的原子层沉积循环；其中，为了形成具有所期望层厚和化学计量的氮氧化物膜，视需要重复氮化物的原子层沉积循环和氧化物的原子层沉积循环。

出于总结本发明和相对于现有技术所取得的益处的目的，在本文中描述本发明的某些目的和益处。当然，应理解本发明的任意具体实施方式不必然能实现所有的这些目的或优点。因此，例如本领域技术人员将理解可以下述方式实施或进行本发明：实现或优化本文所教导或暗示的一种或多种优点，而不必然取得本文所可能教导或暗示的其它目的或优点。

所有这些实施方式都包括在本发明范围之内。根据以下参考附图对某些实施方式的具体描述，这些以及其它实施方式对于本领域技术人员而言是显而易见的，但是本发明不受限于任何公开的具体实施方式。

附图简述

现结合某些实施方式的附图说明本发明公开的这些或其它特征、方面和优势，这旨在说明本发明而不是限制本发明。

图1显示根据本发明的至少一个实施方式的POR V-NAND单元的能带图。

图2显示根据本发明的至少一个实施方式的POR V-NAND单元的能带图。

图3说明了根据本发明的至少一个实施方式的工艺。

图4说明了根据本发明的至少一个实施方式的工艺。

应理解为了简化和清楚起见而在附图中图示各要素，这些要素不一定是按比例绘制的。例如，附图中某些要素的尺寸可以相对其它要素放大，以帮助更好地理解本公开的这些说明性实施方式。

示例性实施方式的详述