[发明专利]一种实数指数幂忆阻模型的电路设计方法

权利要求书

1.一种实数指数幂忆阻模型的电路设计方法，其特征是包括以下步骤：

步骤S01：基于Chua最简混沌系统，其动力学行为描述如下：

将忆阻元件模型选取为：

其中，C是电容值、L是电感值，R(z)是忆阻元件的阻值，z是忆阻元件的状态变量，i_C,i_L,i_M分别为流经电容、电感和忆阻器的电流，v_C,v_M分别为电容和忆阻元件两端的电压，b₁,b₂,b₃,c₁,c₂,c₃均为系统线性参数，α为指数幂参数；

步骤S02：将步骤S01中忆阻函数多项式指数幂α选取为正整数，验证其最简混沌系统的混沌特性；

步骤S03：基于步骤S02设计正整数指数幂α忆阻模型的电路原理图，验证忆阻元件的三个本质特征的存在性；

步骤S04：将步骤S02中正整数拓展至正实数，计算基于该实数指数幂忆阻模型的最简混沌系统的混沌特性；

步骤S05：基于步骤S04设计忆阻函数多项式指数幂α为正实数时一般忆阻器模型的电路原理图，验证忆阻元件的三个本质特征。