[发明专利]半导体晶片及半导体封装在审
| 申请号： | 201710307231.0 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN108022966A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李英志;郭进成;王永辉;赖威宏;王中鼎;李晓燕 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/498;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 封装 | ||
1.一种半导体晶片，其包括：
衬底结构，其界定通孔；
第一绝缘层，其覆盖所述衬底结构的第一表面，其中所述第一绝缘层延伸到所述通孔中，覆盖所述通孔的侧壁，且在所述通孔的底部暴露底部表面；
导电层，其覆盖所述第一绝缘层以及所述第一绝缘层所暴露的所述底部表面；以及
第二绝缘层，其覆盖所述导电层，
其中所述半导体晶片的翘曲小于550微米。
2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述第一绝缘层的弹性模数和所述第二绝缘层的弹性模数各自小于1.7GPa。
3.根据权利要求2所述的半导体晶片，其中所述第一绝缘层的所述弹性模数和所述第二绝缘层的所述弹性模数各自小于或等于1.4GPa。
4.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述第一绝缘层的热膨胀系数和所述第二绝缘层的热膨胀系数各自小于46ppm/℃。
5.根据权利要求4所述的半导体晶片，其中所述第一绝缘层的所述热膨胀系数和所述第二绝缘层的所述热膨胀系数各自小于或等于39ppm/℃。
6.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述第二绝缘层界定暴露所述导电层的一部分的开口。
7.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述衬底结构是半导体衬底，所述半导体晶片进一步包括嵌入于所述半导体衬底中的布线，所述布线通过所述通孔暴露，且所述导电层通过所述通孔电连接到所述布线。
8.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中所述衬底结构包括半导体衬底和所述半导体衬底之上的内插件，所述半导体晶片进一步包括所述半导体衬底与所述内插件之间的布线，所述通孔是穿过所述内插件且暴露所述布线的通孔，且所述导电层通过所述通孔电连接到所述布线。
9.一种半导体封装，其包括：
衬底结构，其界定通孔；
第一绝缘层，其覆盖所述衬底结构的第一表面，其中所述第一绝缘层延伸到所述通孔中，覆盖所述通孔的侧壁，且在所述通孔的底部暴露底部表面；
导电层，其覆盖所述第一绝缘层以及所述第一绝缘层所暴露的所述底部表面；以及
第二绝缘层，其覆盖所述导电层，
其中所述第一绝缘层的弹性模数和所述第二绝缘层的弹性模数各自小于1.7GPa。
10.根据权利要求9所述的半导体封装，其进一步包括与所述衬底结构的所述第一表面相对的所述衬底结构的第二表面之上的平衡层。
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