[发明专利]半导体晶片及半导体封装

说明书

一种半导体晶片包含衬底结构、第一绝缘层、导电层和第二绝缘层。所述衬底结构界定通孔。所述第一绝缘层覆盖所述衬底结构的表面。所述第一绝缘层延伸到所述通孔中，覆盖所述通孔的侧壁，且在所述通孔的底部暴露底部表面。所述导电层覆盖所述第一绝缘层以及所述第一绝缘层所暴露的所述底部表面。所述第二绝缘层覆盖所述导电层。所述半导体晶片的翘曲小于550微米。

技术领域

本发明涉及半导体晶片、半导体封装及其制造方法，且更明确地说，涉及具有低翘曲的半导体晶片；具有绝缘层的半导体封装，所述绝缘层具有实质低弹性模量或低热膨胀系数(CTE)中的任一者或两者；以及其制造方法。

背景技术

三维(3D)半导体封装可归因于其不对称结构以及邻近层之间的特性失配(例如CTE的失配)而经受翘曲。

为了减轻翘曲，可增加半导体封装的厚度。然而，半导体封装的厚度的增加呈现与电子产品的小型化倾向的冲突。

发明内容

在一些实施例中，一种半导体晶片包含衬底结构、第一绝缘层、导电层和第二绝缘层。所述衬底结构界定通孔。第一绝缘层覆盖所述衬底结构的表面。所述第一绝缘层延伸到所述通孔中，覆盖所述通孔的侧壁，且在所述通孔的底部暴露底部表面。所述导电层覆盖所述第一绝缘层以及所述第一绝缘层所暴露的底部表面。所述第二绝缘层覆盖所述导电层。所述半导体晶片的翘曲小于550微米。

在一些实施例中，一种半导体封装包含衬底结构、第一绝缘层、导电层和第二绝缘层。所述衬底结构界定通孔。第一绝缘层覆盖所述衬底结构的表面。所述第一绝缘层延伸到所述通孔中，覆盖所述通孔的侧壁，且在所述通孔的底部暴露底部表面。所述导电层覆盖所述第一绝缘层以及所述第一绝缘层所暴露的底部表面。所述第二绝缘层覆盖所述导电层。第一绝缘层的弹性模数和第二绝缘层的弹性模数各自小于1.7GPa。

在一些实施例中，一种制造半导体晶片的方法包含：提供界定通孔的衬底结构；在所述衬底结构的表面上形成第一绝缘层，并延伸到所述通孔中以覆盖所述通孔的侧壁且在所述通孔的底部暴露底部表面；在所述第一绝缘层以及所述第一绝缘层所暴露的所述底部表面上形成导电层；以及在所述导电层上形成第二绝缘层。所述半导体晶片的翘曲小于550微米。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式最好地理解本发明的一些实施例的方面。应注意，各种结构可能未按比例绘制，且各种结构的尺寸可出于论述的清楚起见而任意增大或减小。

图1是根据本发明的一些实施例的半导体晶片的横截面视图；

图2是根据本发明的一些实施例的半导体封装的横截面图；

图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F和图3G说明根据本发明的一些实施例的制造半导体晶片的方法；

图4是根据本发明的一些实施例的半导体封装的横截面图；

图5A是根据本发明的一些实施例的半导体晶片的俯视图；

图5B是根据本发明的一些实施例的半导体封装的俯视图；

图5C是根据本发明的一些实施例的半导体封装的横截面图；以及

图6是根据本发明的一些实施例的半导体封装的横截面图。

具体实施方式