[发明专利]非易失性存储器及其写入方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器的写入方法，其特征在于，包括：

在至少一禁止写入存储器串中，在一第一侧边存储器单元及一第一导通存储器单元间设定至少一第一隔离存储器单元；

在第一时间点，断开该至少一第一隔离存储器单元，并提供一预升压电压至该第一侧边存储器单元的字线；

在一第二时间点导通该至少一第一隔离存储器单元，以依据该预升压电压来传输预升压电位至该第一导通存储器单元及一主要存储器单元的通道；以及

在一升压时间周期期间，提供一升压电压到该第一导通存储器单元的字线，

其中，该预升压电压的电压电平不大于该升压电压的电压电平。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储器的写入方法，其特征在于，还包括：

在该至少一禁止写入存储器串中的一第二侧边存储器单元及一第二导通存储器单元间设定至少一第二隔离存储器单元；

在该第一时间点，断开该至少一第二隔离存储器单元，并提供该预升压电压到该第二侧边存储器单元的字线；以及

在该第二时间点导通该至少一第二隔离存储器单元，以依据该预升压电压来传输预升压电位至该第二导通存储器单元及该主要存储器单元的通道。

3.根据权利要求1所述的非易失性存储器的写入方法，其特征在于，还包括：

在该第一时间点之前，对该至少一禁止写入存储器串耦接的一位线进行充电。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储器的写入方法，其特征在于，还包括：

在该升压时间周期之前，维持该第一导通存储器单元及该主要存储器单元的字线上的电压在一参考接地电压。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储器的写入方法，其特征在于，还包括：

在该第一时间点之前，断开耦接于该至少一禁止写入存储器串及参考接地电压之间的一接地选择开关；以及

在该第一时间点之前，导通耦接于该至少一禁止写入存储器串及位线之间的位线选择开关。

6.根据权利要求1所述的非易失性存储器的写入方法，其特征在于，还包括：

在该第二时间点之后，调整该第一侧边存储器单元的字线上的电压电平至一第一电压电平；以及

在该第二时间点之后，断开该至少一第一隔离存储器单元，其中，该第一电压电平小于该预升压电压的电压电平。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储器的写入方法，其特征在于，还包括：

在该升压时间周期间，维持该第一侧边存储器单元的字线的电压电平在该第一电压电平。

8.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：

一存储器单元阵列，包括多个存储器串；

一X译码器，耦接至该存储器单元阵列；

一Y译码器，耦接至该存储器单元阵列；以及

一存储器控制器，耦接至该X译码器及该Y译码器，并且用以：

在至少一禁止写入存储器串中，在一第一侧边存储器单元及一第一导通存储器单元间设定至少一第一隔离存储器单元；

在第一时间点，断开该至少一第一隔离存储器单元，并提供一预升压电压至该第一侧边存储器单元的字线；

在一第二时间点导通该至少第一隔离存储器单元，以依据该预升压电压来传输预升压电位至该第一导通存储器单元及一主要存储器单元的通道；以及

在一升压时间周期期间，提供一升压电压到该第一导通存储器单元的字线，

其中，该预升压电压的电压电平不大于该升压电压的电压电平。

9.根据权利要求8所述的非易失性存储器，其特征在于，该存储器控制器还用以：

在该至少一禁止写入存储器串中的一第二侧边存储器单元及一第二导通存储器单元间设定至少一第二隔离存储器单元；

在该第一时间点，断开该至少一第二隔离存储器单元，并提供该预升压电压到该第二侧边存储器单元的字线；以及

在该第二时间点导通该至少一第二隔离存储器单元，以依据该预升压电压来传输预升压电位至该第二导通存储器单元及该主要存储器单元的通道。