[发明专利]一种制作阵列基板的方法有效
| 申请号： | 201710310458.0 | 申请日： | 2017-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN106960815B | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 黄奔 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 阵列 方法 | ||
1.一种制作阵列基板的方法，包括以下步骤：
步骤S10：在透明基板上沉积缓冲介质；
步骤S20：在缓冲介质上设置薄膜晶体管，并在薄膜晶体管上沉积层间介质，在沉积层间介质的过程中向层间介质内渗入H2，其中，所述薄膜晶体管包括位于所述缓冲介质上的多晶硅块；
步骤S30：对阵列基板加热，所述层间介质内的氢原子移动到所述多晶硅块附近与所述多晶硅块的悬挂键和未饱和键进行反应生成Si-H键。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺，在生长氛围为氢气的条件下进行层间介质的沉积。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，氢气的流量为500～5000sccm。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，对阵列基板加热的方法为快速热退火或烘烤。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，加热的温度为550～600℃。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，制作薄膜晶体管包括以下步骤，
在缓冲介质上设置多晶硅块；在多晶硅块上沉积栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上设置栅极线；对多晶硅块进行离子注入以在多晶硅块上形成掺杂有N+型或P+型离子的两个重掺杂区以及重掺杂区以外的沟道区；在栅极线的上方沉积层间介质；干刻出分别垂直延伸至两个重掺杂区的源极线过孔和漏极线过孔。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，层间介质包括硅的氮化层和硅的氧化层，
硅的氮化层覆盖栅极线和栅极绝缘膜，硅的氧化层覆盖在硅的氮化层上。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，采用宽度大于栅极线的宽度的离子束对准栅极线上与多晶硅块相重叠的部分以垂直于栅极绝缘膜的方向射向多晶硅块来进行离子注入。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在进行离子注入前，先对栅极绝缘膜进行干刻以在栅极绝缘膜上形成用于通过离子束的离子束通道。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，干刻所采用的等离子体束对准栅极线上与多晶硅块相重叠的部分以垂直于栅极绝缘膜的方向射向多晶硅块。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
