[发明专利]一种制作阵列基板的方法

说明书

本发明提出了一种制作阵列基板的方法，包括以下步骤：步骤S10：在透明基板上沉积缓冲介质；步骤S20：在缓冲介质上设置薄膜晶体管，并在薄膜晶体管上沉积层间介质，在沉积层间介质的过程中向层间介质内渗入H₂；步骤S30：对阵列基板加热。采用这种方法制作阵列基板可以降低薄膜晶体管的关态电流，避免不必要的漏电流，同时，提升栅极控制能力。

技术领域

本发明涉及一种液晶显示技术，特别涉及一种制作阵列基板的方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-LCD)是常用的显示装置，其中，LTPS技术(低温多晶硅技术)现已广泛应用于手机等高解析度产品中。

在液晶显示装置中液晶面板对背光源进行调制后显示图案和色彩。液晶面板包括阵列基板、彩膜基板以及设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。彩膜基板上设置有公共电极。阵列基板上设置有像素电极以及用于改变像素电极上的电位的薄膜晶体管。薄膜晶体管能控制公共电极和像素电极之间的驱动电场的产生和消失。驱动电场用于改变液晶层的透光特性以使得液晶层具有光阀的功能。

现有技术中，在制作阵列基板的过程中先制作出薄膜晶体管，然后在薄膜晶体管上沉积层间介质。薄膜晶体管的电极需要与外部电路相连接，这就需要在层间介质上设置用于通过导电介质的过孔。现有技术中常常采用干刻法对层间介质进行蚀刻而获得该过孔，但当对层间介质过渡刻蚀后会损伤薄膜晶体管的沟道区，即等离子体蚀刻出该过孔后继续轰击到沟道区上会使得沟道区被电离，这样会提升薄膜晶体管的关态电流(Ioff)，使得栅极的控制能力变差。

发明内容

本发明所要解决的技术问题为如何改善薄膜晶体管的电性。

针对上述技术问题，本发明提出了一种制作阵列基板的方法，包括以下步骤：步骤S10：在透明基板上沉积缓冲介质；步骤S20：在缓冲介质上设置薄膜晶体管，并在薄膜晶体管上沉积层间介质，在沉积层间介质的过程中向层间介质内渗入H₂；步骤S30：对阵列基板加热。

在一个具体的实施例中，采用化学气相沉积工艺，在生长氛围为氢气的条件下进行层间介质的沉积。

在一个具体的实施例中，氢气的流量为500～5000sccm。

在一个具体的实施例中，对阵列基板加热的方法为快速热退火或烘烤。

在一个具体的实施例中，加热的温度为550～600℃。

在一个具体的实施例中，制作薄膜晶体管包括以下步骤，在缓冲介质上设置多晶硅块；在多晶硅块上沉积栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上设置栅极线；对多晶硅块进行离子注入以在多晶硅块上形成掺杂有N+型或P+型离子的两个重掺杂区以及重掺杂区以外的沟道区；在栅极线的上方沉积层间介质；干刻出分别垂直延伸至两个重掺杂区的源极线过孔和漏极线过孔。

在一个具体的实施例中，层间介质包括硅的氮化层和硅的氧化层，硅的氮化层覆盖栅极线和栅极绝缘膜，硅的氧化层覆盖在硅的氮化层上。

在一个具体的实施例中，采用宽度大于栅极线的宽度的离子束对准栅极线上与多晶硅块相重叠的部分以垂直于栅极绝缘膜的方向射向多晶硅块来进行离子注入。

在一个具体的实施例中，在进行离子注入前，先对栅极绝缘膜进行干刻以在栅极绝缘膜上形成用于通过离子束的离子束通道。

在一个具体的实施例中，干刻所采用的等离子体束对准栅极线上与多晶硅块相重叠的部分以垂直于栅极绝缘膜的方向射向多晶硅块。

在对阵列基板进行加热时，层间介质内的氢原子移动到多晶硅块附近并与多晶硅块的悬挂键和未饱和键进行反应生成Si-H键。这样就可以降低薄膜晶体管的关态电流，避免不必要的漏电流，同时，提升栅极控制能力。

附图说明