[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一掺杂半导体层；

一硅半导体层，设置在该掺杂半导体层上；

一鳍片结构，设置在该硅半导体层上，该鳍片结构包含硅锗，其中该鳍片结构是以一p型掺质掺杂；

一源极/漏极区域，设置在该鳍片结构的一上部分中；以及

一鳍片侧壁，沿着该硅半导体层和该鳍片结构的一下部分形成，其中该鳍片侧壁具有该p型掺质。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该掺杂半导体层包含一n井。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在该源极/漏极区域中锗的一浓度是大于一通道区中锗的一浓度。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在该源极/漏极区域之下的该鳍片结构的该下部分包含低于该源极/漏极区域的一浓度的该p型掺质。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该p型掺质包含硼。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含一栅极结构，其中该栅极结构是形成在相邻于该源极/漏极区域的该鳍片结构上。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该源极/漏极的一底部是位于该鳍片结构的一顶部及一底部之间的一中心点附近。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该源极/漏极区域中锗的一浓度的范围是介于45％至75％。

9.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一硅半导体层；

一鳍片结构，设置在该半导体层上，该鳍片结构包含硅锗，且具有一上部分及一下部分；

一源极/漏极区域，形成在该上部分中，其中该源极/漏极区域包含具有一第一浓度的一p型掺质；

一下区域，位于该下部分中，并对准该源极/漏极区域，其中该下区域包含具有一第二浓度的该p型掺质，该第二浓度是小于该第一浓度；以及

一鳍片侧壁，沿着该硅半导体层和该鳍片结构的该下部分形成。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该鳍片的一高度是介于50纳米至60纳米的一范围。

11.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该鳍片侧壁的一高度是介于5纳米至20纳米的一范围。

12.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，在该鳍片结构的一通道区中的锗的一浓度是介于25％至40％的一范围。

13.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该源极/漏极区域中的锗的一浓度是介于45％至75％的一范围。

14.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，在该源极/漏极区域中的该p型掺质的一浓度是介于3×10²⁰cm^-3至7×10²⁰cm^-3的一范围。

15.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该鳍片结构是设置在一n井上。

16.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，该侧壁包含该p型掺质。