[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

衬底基板以及设置于所述衬底基板上的金属遮光层、第一有源层、栅电极、源电极和漏电极；

设置于所述第一有源层和所述金属遮光层之间的间隔层；以及

设置于所述第一有源层和所述金属遮光层之间的缓冲层；

其中，所述第一有源层包括沟道区，所述间隔层设置于所述沟道区和所述金属遮光层之间,

其中，所述间隔层为第二有源层，所述第二有源层设置于所述第一有源层和所述缓冲层之间，并且所述第二有源层的电阻率大于所述第一有源层的电阻率。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述间隔层在所述衬底基板上的投影与所述第一有源层的所述沟道区在所述衬底基板上的投影重合。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，

在垂直于所述衬底基板的方向上，所述间隔层在所述衬底基板上的投影与所述第一有源层在所述衬底基板上的投影重合。

4.一种阵列基板，包括权利要求1-3中任一项所述的薄膜晶体管。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，还包括：

设置于所述衬底基板上的存储电容，所述存储电容包括第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的介质层。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，

所述薄膜晶体管的所述金属遮光层与所述第一电极为同层且同材料设置；和/或

所述薄膜晶体管的所述栅电极与所述第二电极同层且同材料设置。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述阵列基板包括权利要求2-5中任一所述的薄膜晶体管，以及

所述缓冲层配置为所述介质层。

8.根据权利要求5所述的阵列基板，其中，所述间隔层与所述存储电容设置为彼此间隔开。

9.一种薄膜晶体管中的制备方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成金属遮光层、第一有源层、栅电极、源电极和漏电极；

在所述第一有源层和所述金属遮光层之间形成缓冲层；

其中，所述方法还包括在所述第一有源层和所述金属遮光层之间形成间隔层，所述第一有源层包括沟道区，所述间隔层形成在所述沟道区和所述金属遮光层之间,

其中，

所述间隔层为第二有源层；并且

所述第二有源层形成于所述第一有源层和所述缓冲层之间，并且所述第二有源层的电阻率大于所述第一有源层的电阻率。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其中，

在所述衬底基板上形成所述第一有源层包括：在所述衬底基板上形成第一半导体薄膜；采用第一掩膜板对所述第一半导体薄膜进行图案化处理以形成所述第一有源层；并且

在所述衬底基板上形成所述间隔层包括：在所述衬底基板上形成间隔层薄膜；采用所述第一掩膜板对所述间隔层薄膜进行图案化处理以形成所述间隔层。

11.一种阵列基板的制备方法，包括权利要求9-10中任一项所述的制备方法。

12.根据权利要求11所述的制备方法，还包括：

在所述衬底基板上形成存储电容；

其中，所述存储电容包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的介质层。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其中，所述间隔层与所述存储电容设置为彼此间隔开。