[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法

说明书

本公开提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法。该薄膜晶体管包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的金属遮光层、第一有源层、栅电极、源电极和漏电极；设置于所述第一有源层和所述金属遮光层之间的间隔层；其中，所述第一有源层包括沟道区，所述间隔层设置于所述沟道区和所述金属遮光层之间。间隔层可以增加有源层的沟道区与金属遮光层之间的间隔距离，以降低或消除有源层的沟道区与金属遮光层之间的寄生电容问题，可以提高薄膜晶体管的电学性能。

技术领域

本公开至少一个实施例涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法。

背景技术

薄膜晶体管中的有源层在受光照的影响下，有源层中的光生载流子会增加，导致薄膜晶体管的漏电流增加。为避免上述现象，通常在薄膜晶体管中设置遮光层以阻止光照射到有源层上。但是，在遮光层为金属材料的情况下，遮光层和有源层之间会产生寄生电容，该寄生电容会导致薄膜晶体管的漏电流增加，影响薄膜晶体管的电学性能。

公开内容

本公开至少一个实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及其制备方法以解决上述技术问题。

本公开至少一个实施例提供一种薄膜晶体管，包括：衬底基板以及设置于所述衬底基板上的金属遮光层、第一有源层、栅电极、源电极和漏电极；设置于所述第一有源层和所述金属遮光层之间的间隔层；其中，所述第一有源层包括沟道区，所述间隔层设置于所述沟道区和所述金属遮光层之间。

例如，本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管，还可以包括：设置于所述第一有源层和所述金属遮光层之间的缓冲层。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，所述间隔层为绝缘层；并且所述间隔层设置于所述第一有源层和所述缓冲层之间，和/或所述间隔层设置于所述金属遮光层和所述缓冲层之间。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，所述间隔层为第二有源层，所述第二有源层设置于所述第一有源层和所述缓冲层之间，并且所述第二有源层的电阻率大于所述第一有源层的电阻率。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述间隔层在所述衬底基板上的投影与所述第一有源层的所述沟道区在所述衬底基板上的投影重合。

例如，在本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管中，在垂直于所述衬底基板的方向上，所述间隔层在所述衬底基板上的投影与所述第一有源层在所述衬底基板上的投影重合。

本公开至少一个实施例提供一种阵列基板，包括上述任一实施例中的薄膜晶体管。

例如，本公开至少一个实施例提供的阵列基板，还可以包括：设置于所述衬底基板上的存储电容，所述存储电容包括第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极和所述第二电极之间的介质层。

例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，所述薄膜晶体管的所述金属遮光层与所述第一电极为同层且同材料设置；和/或所述薄膜晶体管的所述栅电极与所述第二电极同层且同材料设置。

例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，所述缓冲层可以配置为所述介质层。

例如，在本公开至少一个实施例提供的阵列基板中，所述间隔层与所述存储电容可以设置为彼此间隔开。

本公开至少一个实施例提供一种薄膜晶体管中的制备方法，包括：提供衬底基板；在所述衬底基板上形成遮光层、第一有源层、栅电极、源电极和漏电极；其中，所述方法还包括在所述第一有源层和所述金属遮光层之间形成间隔层，所述第一有源层包括沟道区，所述间隔层形成在所述沟道区和所述金属遮光层之间。

例如，本公开至少一个实施例提供的薄膜晶体管的制备方法还可以包括：在所述第一有源层和所述金属遮光层之间形成缓冲层。